IFS75B12N3E4_B32 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: IFS75B12N3E4_B32
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 385 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.85 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.4 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 20 nS
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для IFS75B12N3E4_B32
IFS75B12N3E4_B32 Datasheet (PDF)
ifs75b12n3e4 b31.pdf
/ Technical InformationIGBT-IFS75B12N3E4_B31IGBT-modulesMIPAQbase Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4, Emitter Controlled 4 Diode und Strommesswiderstand MIPAQbase module with trench/fieldstop IGBT4, emitter controlled 4 diode and current sense shunt IGBT- / IGBT,Inverter / Preliminary Dat
ifs75b12n3e4 b32.pdf
/ Technical InformationIGBT-IFS75B12N3E4_B32IGBT-modulesMIPAQbase / IGBT4 and 4 diodeand MIPAQbase module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and current senseshunt
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , CRG60T60AK3HD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2