IFS75B12N3E4_B32 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: IFS75B12N3E4_B32  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 385 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.85 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 20 nS

Тип корпуса: MODULE

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для IFS75B12N3E4_B32

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IFS75B12N3E4_B32 даташит

 0.1. Size:747K  infineon
 ifs75b12n3e4 b31.pdf pdf_icon

IFS75B12N3E4_B32

/ Technical Information IGBT- IFS75B12N3E4_B31 IGBT-modules MIPAQ base Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4, Emitter Controlled 4 Diode und Strommesswiderstand MIPAQ base module with trench/fieldstop IGBT4, emitter controlled 4 diode and current sense shunt IGBT- / IGBT,Inverter / Preliminary Dat

 0.2. Size:898K  infineon
 ifs75b12n3e4 b32.pdf pdf_icon

IFS75B12N3E4_B32

/ Technical Information IGBT- IFS75B12N3E4_B32 IGBT-modules MIPAQ base / IGBT4 and 4 diode and MIPAQ base module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and current sense shunt

Другие IGBT... HYG30P120H1K1, HYG40P120H1S, HYG75B120C1S, HYG75P120D1S, IFS100B12N3E4_B31, IFS100B12N3E4_B39, IFS150B12N3E4_B31, IFS75B12N3E4_B31, YGW60N65F1A1, IXYH20N120C3D1, IXYH20N120C3, IXYH30N120C3, IXYH30N120C3D1, IXA4I1200UC, IXA4IF1200TC, IXA4IF1200UC, IXA70I1200NA