Справочник IGBT. IFS75B12N3E4_B32

 

IFS75B12N3E4_B32 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: IFS75B12N3E4_B32

Тип управляющего канала: N-Channel

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 385

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.85

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 75

Максимальная температура перехода (Tj): 150

Время нарастания: 20

Корпус: MODULE

Аналог (замена) для IFS75B12N3E4_B32

 

 

IFS75B12N3E4_B32 Datasheet (PDF)

1.1. ifs75b12n3e4 b31.pdf Size:747K _igbt_a

IFS75B12N3E4_B32
IFS75B12N3E4_B32

テクニカルインフォメーション / Technical Information IGBT-モジュール IFS75B12N3E4_B31 IGBT-modules MIPAQ™base Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4, Emitter Controlled 4 Diode und Strommesswiderstand MIPAQ™base module with trench/fieldstop IGBT4, emitter controlled 4 diode and current sense shunt IGBT- インバータ / IGBT,Inverter 暫定データ / Preliminary Dat

1.2. ifs75b12n3e4 b32.pdf Size:898K _igbt_a

IFS75B12N3E4_B32
IFS75B12N3E4_B32

テクニカルインフォメーション / Technical Information IGBT-モジュール IFS75B12N3E4_B32 IGBT-modules MIPAQ™base モジュール トレンチ/フィールドストップ IGBT4 and エミッターコントロール4 diode内蔵 and 電流センス用シャント抵抗 MIPAQ™base module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and current sense shunt

 

Другие IGBT... HYG30P120H1K1 , HYG40P120H1S , HYG75B120C1S , HYG75P120D1S , IFS100B12N3E4_B31 , IFS100B12N3E4_B39 , IFS150B12N3E4_B31 , IFS75B12N3E4_B31 , IRGP4068D , IXYH20N120C3D1 , IXYH20N120C3 , IXYH30N120C3 , IXYH30N120C3D1 , IXA4I1200UC , IXA4IF1200TC , IXA4IF1200UC , IXA70I1200NA .

Back to Top

 


IFS75B12N3E4_B32
  IFS75B12N3E4_B32
  IFS75B12N3E4_B32
 

social 

Список транзисторов

Обновления

IGBT: RJP30H2A | GT50JR22 | IRGC16B60KB | IRGC16B120KB | IRGC15B120UB | IRGC15B120KB | IRGC100B60UB | IRGC100B60KB | IRGC100B120UB | IRGC100B120KB |
 


 

 

Back to Top