IXA70I1200NA Todos los transistores

 

IXA70I1200NA - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXA70I1200NA
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 350 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 100 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.8 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 40 nS
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 190 nC
   Paquete / Cubierta: SOT227
 

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IXA70I1200NA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:134K  ixys
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IXA70I1200NA

IXA70I1200NAVCES = 1200VXPT IGBTI= 100AC25VCE(sat) = 1.8VSingle IGBTPart numberIXA70I1200NABackside: isolated(C) 3(G) 2(E) 1+4Features / Advantages: Applications: Package: SOT-227B (minibloc) Easy paralleling due to the positive temperature AC motor drives Isolation Voltage: V~3000 coefficient of the on-state voltage Solar inverter Industry sta

 9.1. Size:150K  ixys
 ixa70r1200na.pdf pdf_icon

IXA70I1200NA

IXA70R1200NAVCES = 1200VXPT IGBTI= 100AC25VCE(sat) = 1.8VBoost ChopperPart numberIXA70R1200NABackside: isolated4321Features / Advantages: Applications: Package: SOT-227B (minibloc) Easy paralleling due to the positive temperature AC motor drives Isolation Voltage: V~3000 coefficient of the on-state voltage Solar inverter Industry standard out

Otros transistores... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , CRG60T60AN3H , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

 

 
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