IXA70I1200NA - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXA70I1200NA
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 350 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 100 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.8 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 40 nS
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 190 nC
Paquete / Cubierta: SOT227
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IXA70I1200NA Datasheet (PDF)
ixa70i1200na.pdf
IXA70I1200NAVCES = 1200VXPT IGBTI= 100AC25VCE(sat) = 1.8VSingle IGBTPart numberIXA70I1200NABackside: isolated(C) 3(G) 2(E) 1+4Features / Advantages: Applications: Package: SOT-227B (minibloc) Easy paralleling due to the positive temperature AC motor drives Isolation Voltage: V~3000 coefficient of the on-state voltage Solar inverter Industry sta
ixa70r1200na.pdf
IXA70R1200NAVCES = 1200VXPT IGBTI= 100AC25VCE(sat) = 1.8VBoost ChopperPart numberIXA70R1200NABackside: isolated4321Features / Advantages: Applications: Package: SOT-227B (minibloc) Easy paralleling due to the positive temperature AC motor drives Isolation Voltage: V~3000 coefficient of the on-state voltage Solar inverter Industry standard out
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Liste
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