IXA70I1200NA - аналоги и описание IGBT

 

IXA70I1200NA - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXA70I1200NA

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 350 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 40 nS

Тип корпуса: SOT227

 Аналог (замена) для IXA70I1200NA

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXA70I1200NA даташит

 ..1. Size:134K  ixys
 ixa70i1200na.pdf pdf_icon

IXA70I1200NA

IXA70I1200NA VCES = 1200V XPT IGBT I= 100A C25 VCE(sat) = 1.8V Single IGBT Part number IXA70I1200NA Backside isolated (C) 3 (G) 2 (E) 1+4 Features / Advantages Applications Package SOT-227B (minibloc) Easy paralleling due to the positive temperature AC motor drives Isolation Voltage V 3000 coefficient of the on-state voltage Solar inverter Industry sta

 9.1. Size:150K  ixys
 ixa70r1200na.pdf pdf_icon

IXA70I1200NA

IXA70R1200NA VCES = 1200V XPT IGBT I= 100A C25 VCE(sat) = 1.8V Boost Chopper Part number IXA70R1200NA Backside isolated 4 3 2 1 Features / Advantages Applications Package SOT-227B (minibloc) Easy paralleling due to the positive temperature AC motor drives Isolation Voltage V 3000 coefficient of the on-state voltage Solar inverter Industry standard out

Другие IGBT... IFS75B12N3E4_B32 , IXYH20N120C3D1 , IXYH20N120C3 , IXYH30N120C3 , IXYH30N120C3D1 , IXA4I1200UC , IXA4IF1200TC , IXA4IF1200UC , RJH3047 , IXYP20N120C3 , IXYP30N120C3 , IXYR100N120C3 , IXYH40N120B3 , IXYH40N120B3D1 , IXYH40N120C3 , IXYH40N120C3D1 , IXYH50N120C3D1 .

History: IXYP30N120C3 | IFS150B12N3E4_B31

 

 

 


 
↑ Back to Top
.