IXYR100N120C3 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXYR100N120C3
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 484 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 104 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.96 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 90 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 353 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 260 nC
Paquete / Cubierta: ISOPLUS247
Búsqueda de reemplazo de IXYR100N120C3 - IGBT
IXYR100N120C3 Datasheet (PDF)
ixyr100n120c3.pdf
1200V XPTTM IGBT VCES = 1200VIXYR100N120C3GenX3TM IC110 = 56A VCE(sat) 3.50V (Electrically Isolated Tab)tfi(typ) = 110nsHigh-Speed IGBTfor 20-50 kHz SwitchingISOPLUS247TMSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 175C 1200 VVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 1200 VVGES Continuous
Otros transistores... IXYH30N120C3 , IXYH30N120C3D1 , IXA4I1200UC , IXA4IF1200TC , IXA4IF1200UC , IXA70I1200NA , IXYP20N120C3 , IXYP30N120C3 , SGT40N60FD2PN , IXYH40N120B3 , IXYH40N120B3D1 , IXYH40N120C3 , IXYH40N120C3D1 , IXYH50N120C3D1 , IXYK100N120C3 , IXYK120N120C3 , SG12N06DP .
Liste
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