IXYR100N120C3 Todos los transistores

 

IXYR100N120C3 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXYR100N120C3
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 484 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 104 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.96 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 90 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 353 pF
   Paquete / Cubierta: ISOPLUS247
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

IXYR100N120C3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:248K  ixys
 ixyr100n120c3.pdf pdf_icon

IXYR100N120C3

1200V XPTTM IGBT VCES = 1200VIXYR100N120C3GenX3TM IC110 = 56A VCE(sat) 3.50V (Electrically Isolated Tab)tfi(typ) = 110nsHigh-Speed IGBTfor 20-50 kHz SwitchingISOPLUS247TMSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 175C 1200 VVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 1200 VVGES Continuous

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