IXYR100N120C3 - аналоги и описание IGBT

 

IXYR100N120C3 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXYR100N120C3

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 484 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 104 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.96 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 90 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 353 pF

Тип корпуса: ISOPLUS247

 Аналог (замена) для IXYR100N120C3

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXYR100N120C3 даташит

 ..1. Size:248K  ixys
ixyr100n120c3.pdfpdf_icon

IXYR100N120C3

Другие IGBT... IXYH30N120C3 , IXYH30N120C3D1 , IXA4I1200UC , IXA4IF1200TC , IXA4IF1200UC , IXA70I1200NA , IXYP20N120C3 , IXYP30N120C3 , IKW50N60T , IXYH40N120B3 , IXYH40N120B3D1 , IXYH40N120C3 , IXYH40N120C3D1 , IXYH50N120C3D1 , IXYK100N120C3 , IXYK120N120C3 , SG12N06DP .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.