DM1GL75SH12A IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DM1GL75SH12A
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 600 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 75 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.5 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 65 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 400 pF
Encapsulados: MODULE
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DM1GL75SH12A datasheet
dm1gl75sh12a.pdf
Discontinuance (Aug. 31, 2013) DM1GL75SH12A July. 2010 High Power SPT+ & Rugged Type IGBT Module Description Equivalent Circuit and Package DAWIN S IGBT 7DM-1 Package devices are optimized to reduce losses and Equivalent Circuit switching noise in high frequency power conditioning electrical systems. These IGBT modules are ideally suited for power inverters, motors drives
Otros transistores... DL2G100SH6A , DL2G100SH6N , DL2G50SH12A , DL2G50SH6A , DL2G50SH6N , DL2G75SH12A , DL2G75SH6A , DL2G75SH6N , IRGP4063 , DM2G100SH12A , DM2G100SH6A , DM2G100SH6N , DM2G150SH12A , DM2G150SH12AE , DM2G150SH6A , DM2G50SH12A , DM2G50SH6A .
History: AOK75B65H1 | MPBQ120N65GSF | SGP6N60UF | AOKS40B60D1
History: AOK75B65H1 | MPBQ120N65GSF | SGP6N60UF | AOKS40B60D1
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