DM1GL75SH12A - аналоги и описание IGBT

 

DM1GL75SH12A - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: DM1GL75SH12A

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 600 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.5 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 65 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 400 pF

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для DM1GL75SH12A

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

DM1GL75SH12A даташит

 ..1. Size:543K  dawin
 dm1gl75sh12a.pdf pdf_icon

DM1GL75SH12A

Discontinuance (Aug. 31, 2013) DM1GL75SH12A July. 2010 High Power SPT+ & Rugged Type IGBT Module Description Equivalent Circuit and Package DAWIN S IGBT 7DM-1 Package devices are optimized to reduce losses and Equivalent Circuit switching noise in high frequency power conditioning electrical systems. These IGBT modules are ideally suited for power inverters, motors drives

Другие IGBT... DL2G100SH6A , DL2G100SH6N , DL2G50SH12A , DL2G50SH6A , DL2G50SH6N , DL2G75SH12A , DL2G75SH6A , DL2G75SH6N , IRGP4063 , DM2G100SH12A , DM2G100SH6A , DM2G100SH6N , DM2G150SH12A , DM2G150SH12AE , DM2G150SH6A , DM2G50SH12A , DM2G50SH6A .

History: DL2G75SH6A

 

 

 

 

↑ Back to Top
.