Справочник IGBT. DM1GL75SH12A

 

DM1GL75SH12A Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: DM1GL75SH12A
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 600 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.5 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 8 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 65 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 400 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 780 nC
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для DM1GL75SH12A

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

DM1GL75SH12A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:543K  dawin
 dm1gl75sh12a.pdf pdf_icon

DM1GL75SH12A

Discontinuance (Aug. 31, 2013) DM1GL75SH12A July. 2010 High Power SPT+ & Rugged Type IGBT Module Description Equivalent Circuit and Package DAWINS IGBT 7DM-1 Package devices are optimized to reduce losses and Equivalent Circuit switching noise in high frequency power conditioning electrical systems. These IGBT modules are ideally suited for power inverters, motors drives

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , CRG60T60AN3H , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

History: KGF15N120KDA | IKW50N65F5A | STGP30H60DF

 

 
Back to Top

 


 
.