CY20AAJ-8H - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CY20AAJ-8H
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 0.5 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 400 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 6 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 130(PULSE) A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 4 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
Paquete / Cubierta: SOP-8
- Selección de transistores por parámetros
CY20AAJ-8H Datasheet (PDF)
cy20aaj-8h.pdf
Preliminary Datasheet CY20AAJ-8H R07DS1007EJ0300(Previous: REJ03G0282-0200)Nch IGBT for Strobe Flash Rev.3.00400V, 150A, 4V drive Jan 30, 2013Features VCES : 400 V ICM : 130 A Drive voltage : 4 V High speed switching Outline RENESAS Package code: PRSP0008DD-D(Package name: SOP-8)5,6,7,856781,2,3 : Emitter4 : Gate4 4325,
cy20aaj-8.pdf
MITSUBISHI IGBTMITSUBISHI IGBTCY20AAJ-8CY20AAJ-8Nch IGBT for STROBE FLASHERNch IGBT for STROBE FLASHERCY20AAJ-8 OUTLINE DRAWING Dimensions in mm 1.8 MAX.5.00.41.27 EMITTER GATE COLLECTOR VCES ............................................................................... 400V ICM ...............
Otros transistores... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
History: STGP10NB60S
History: STGP10NB60S
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
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