CY20AAJ-8H IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CY20AAJ-8H
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 0.5 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 400 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 6 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 130(PULSE) A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 4 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
Paquete / Cubierta: SOP-8
Búsqueda de reemplazo de CY20AAJ-8H IGBT
CY20AAJ-8H PDF specs
cy20aaj-8h.pdf
Preliminary Datasheet CY20AAJ-8H R07DS1007EJ0300 (Previous REJ03G0282-0200) Nch IGBT for Strobe Flash Rev.3.00 400V, 150A, 4V drive Jan 30, 2013 Features VCES 400 V ICM 130 A Drive voltage 4 V High speed switching Outline RENESAS Package code PRSP0008DD-D (Package name SOP-8) 5,6,7,8 5 6 7 8 1,2,3 Emitter 4 Gate 4 4 3 2 5,... See More ⇒
cy20aaj-8.pdf
MITSUBISHI IGBT MITSUBISHI IGBT CY20AAJ-8 CY20AAJ-8 Nch IGBT for STROBE FLASHER Nch IGBT for STROBE FLASHER CY20AAJ-8 OUTLINE DRAWING Dimensions in mm 1.8 MAX. 5.0 0.4 1.27 EMITTER GATE COLLECTOR VCES ............................................................................... 400V ICM .................. See More ⇒
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Liste
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