Справочник IGBT. CY20AAJ-8H

 

CY20AAJ-8H - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: CY20AAJ-8H
   Тип транзистора: IGBT + Built-in Zener Diodes
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 400 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 6 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 130(PULSE) A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 4 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 1.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   Тип корпуса: SOP-8

 Аналог (замена) для CY20AAJ-8H

 

 

CY20AAJ-8H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:345K  renesas
 cy20aaj-8h.pdf

CY20AAJ-8H CY20AAJ-8H

Preliminary Datasheet CY20AAJ-8H R07DS1007EJ0300(Previous: REJ03G0282-0200)Nch IGBT for Strobe Flash Rev.3.00400V, 150A, 4V drive Jan 30, 2013Features VCES : 400 V ICM : 130 A Drive voltage : 4 V High speed switching Outline RENESAS Package code: PRSP0008DD-D(Package name: SOP-8)5,6,7,856781,2,3 : Emitter4 : Gate4 4325,

 5.1. Size:39K  mitsubishi
 cy20aaj-8.pdf

CY20AAJ-8H CY20AAJ-8H

MITSUBISHI IGBTMITSUBISHI IGBTCY20AAJ-8CY20AAJ-8Nch IGBT for STROBE FLASHERNch IGBT for STROBE FLASHERCY20AAJ-8 OUTLINE DRAWING Dimensions in mm 1.8 MAX.5.00.41.27 EMITTER GATE COLLECTOR VCES ............................................................................... 400V ICM ...............

Другие IGBT... DM2G150SH12AE , DM2G150SH6A , DM2G50SH12A , DM2G50SH6A , DM2G50SH6N , DM2G75SH12A , DM2G75SH6A , DM2G75SH6N , SGT40N60NPFDPN , CY25AAJ-8F , SHD724401 , SHD724402 , SHD724502 , SHD724602 , SHD739601 , SHDG1025 , SHSMG1009 .

 

 
Back to Top