Справочник IGBT. CY20AAJ-8H

 

CY20AAJ-8H Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: CY20AAJ-8H
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 400 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 6 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 130(PULSE) A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 4 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   Тип корпуса: SOP-8
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

CY20AAJ-8H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:345K  renesas
 cy20aaj-8h.pdf pdf_icon

CY20AAJ-8H

Preliminary Datasheet CY20AAJ-8H R07DS1007EJ0300(Previous: REJ03G0282-0200)Nch IGBT for Strobe Flash Rev.3.00400V, 150A, 4V drive Jan 30, 2013Features VCES : 400 V ICM : 130 A Drive voltage : 4 V High speed switching Outline RENESAS Package code: PRSP0008DD-D(Package name: SOP-8)5,6,7,856781,2,3 : Emitter4 : Gate4 4325,

 5.1. Size:39K  mitsubishi
 cy20aaj-8.pdf pdf_icon

CY20AAJ-8H

MITSUBISHI IGBTMITSUBISHI IGBTCY20AAJ-8CY20AAJ-8Nch IGBT for STROBE FLASHERNch IGBT for STROBE FLASHERCY20AAJ-8 OUTLINE DRAWING Dimensions in mm 1.8 MAX.5.00.41.27 EMITTER GATE COLLECTOR VCES ............................................................................... 400V ICM ...............

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: STGP10NB60S

 

 
Back to Top

 


 
.