CY20AAJ-8H - аналоги и описание IGBT

 

CY20AAJ-8H - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: CY20AAJ-8H

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 400 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 6 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 130(PULSE) A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 4 V @25℃

Тип корпуса: SOP-8

 Аналог (замена) для CY20AAJ-8H

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

CY20AAJ-8H даташит

 ..1. Size:345K  renesas
 cy20aaj-8h.pdf pdf_icon

CY20AAJ-8H

Preliminary Datasheet CY20AAJ-8H R07DS1007EJ0300 (Previous REJ03G0282-0200) Nch IGBT for Strobe Flash Rev.3.00 400V, 150A, 4V drive Jan 30, 2013 Features VCES 400 V ICM 130 A Drive voltage 4 V High speed switching Outline RENESAS Package code PRSP0008DD-D (Package name SOP-8) 5,6,7,8 5 6 7 8 1,2,3 Emitter 4 Gate 4 4 3 2 5,

 5.1. Size:39K  mitsubishi
 cy20aaj-8.pdf pdf_icon

CY20AAJ-8H

MITSUBISHI IGBT MITSUBISHI IGBT CY20AAJ-8 CY20AAJ-8 Nch IGBT for STROBE FLASHER Nch IGBT for STROBE FLASHER CY20AAJ-8 OUTLINE DRAWING Dimensions in mm 1.8 MAX. 5.0 0.4 1.27 EMITTER GATE COLLECTOR VCES ............................................................................... 400V ICM ...............

Другие IGBT... DM2G150SH12AE , DM2G150SH6A , DM2G50SH12A , DM2G50SH6A , DM2G50SH6N , DM2G75SH12A , DM2G75SH6A , DM2G75SH6N , IXGH60N60 , CY25AAJ-8F , SHD724401 , SHD724402 , SHD724502 , SHD724602 , SHD739601 , SHDG1025 , SHSMG1009 .

History: STGB3NB60SD | STGW20NB60HD | STGF30M65DF2

 

 

 

 

↑ Back to Top
.