SHD739601 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SHD739601
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1000 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.5 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 250 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 200 pF
Paquete / Cubierta: SHD-6
Búsqueda de reemplazo de SHD739601 - IGBT
SHD739601 Datasheet (PDF)
shd739601.pdf
SENSITRONSHD739601SEMICONDUCTORTECHNICAL DATADATA SHEET 2049, REV. -Formerly part number SHSMG10101000 VOLT, 50 AMP IGBT DEVICEHIGH SPEED, LOW VCE IGBTELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tj=250C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED)PARAMETER SYMBOL MIN TYP MAX UNITPARAMETER SYMBOL MIN TYP MAX UNITIGBT SPECIFICATIONSCollector to Emitter Breakdown VoltageBVCES 1000 - - VIC = 3 mA, VG
Otros transistores... DM2G75SH6A , DM2G75SH6N , CY20AAJ-8H , CY25AAJ-8F , SHD724401 , SHD724402 , SHD724502 , SHD724602 , RJP30H1DPD , SHDG1025 , SHSMG1009 , SHSMG1010 , VS-GB100LH120N , VS-GB100LP120N , VS-GB100NH120N , VS-GB100TH120N , VS-GB100TH120U .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2