SHD739601 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SHD739601
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1000 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.5 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 250 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 200 pF
Paquete / Cubierta: SHD-6
Búsqueda de reemplazo de SHD739601 IGBT
SHD739601 Datasheet (PDF)
shd739601.pdf

SENSITRONSHD739601SEMICONDUCTORTECHNICAL DATADATA SHEET 2049, REV. -Formerly part number SHSMG10101000 VOLT, 50 AMP IGBT DEVICEHIGH SPEED, LOW VCE IGBTELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tj=250C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED)PARAMETER SYMBOL MIN TYP MAX UNITPARAMETER SYMBOL MIN TYP MAX UNITIGBT SPECIFICATIONSCollector to Emitter Breakdown VoltageBVCES 1000 - - VIC = 3 mA, VG
Otros transistores... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , CRG60T60AN3H , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .
History: 2MBI200PB-140 | IXGN82N120C3H1 | MMG150DR120UA | SRE50N120FSUDATP | IRG4BC30KD | SKM195GB062D | BLG3040-B
History: 2MBI200PB-140 | IXGN82N120C3H1 | MMG150DR120UA | SRE50N120FSUDATP | IRG4BC30KD | SKM195GB062D | BLG3040-B



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
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