SHD739601 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SHD739601
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1000 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.5 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 250 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 200 pF
Paquete / Cubierta: SHD-6
- Selección de transistores por parámetros
SHD739601 Datasheet (PDF)
shd739601.pdf

SENSITRONSHD739601SEMICONDUCTORTECHNICAL DATADATA SHEET 2049, REV. -Formerly part number SHSMG10101000 VOLT, 50 AMP IGBT DEVICEHIGH SPEED, LOW VCE IGBTELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tj=250C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED)PARAMETER SYMBOL MIN TYP MAX UNITPARAMETER SYMBOL MIN TYP MAX UNITIGBT SPECIFICATIONSCollector to Emitter Breakdown VoltageBVCES 1000 - - VIC = 3 mA, VG
Otros transistores... DM2G75SH6A , DM2G75SH6N , CY20AAJ-8H , CY25AAJ-8F , SHD724401 , SHD724402 , SHD724502 , SHD724602 , RJP30H1DPD , SHDG1025 , SHSMG1009 , SHSMG1010 , VS-GB100LH120N , VS-GB100LP120N , VS-GB100NH120N , VS-GB100TH120N , VS-GB100TH120U .
History: APT150GN120JDQ4 | IXGT10N170 | IXGT10N170A | BSM100GB60DLC | NCE50TD120VT | STGE50NC60WD | 2MBI200TA-060
History: APT150GN120JDQ4 | IXGT10N170 | IXGT10N170A | BSM100GB60DLC | NCE50TD120VT | STGE50NC60WD | 2MBI200TA-060



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
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