Справочник IGBT. SHD739601

 

SHD739601 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SHD739601
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1000 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.5 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 250 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 200 pF
   Тип корпуса: SHD-6
 

 Аналог (замена) для SHD739601

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SHD739601 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:51K  sensitron
shd739601.pdfpdf_icon

SHD739601

SENSITRONSHD739601SEMICONDUCTORTECHNICAL DATADATA SHEET 2049, REV. -Formerly part number SHSMG10101000 VOLT, 50 AMP IGBT DEVICEHIGH SPEED, LOW VCE IGBTELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tj=250C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED)PARAMETER SYMBOL MIN TYP MAX UNITPARAMETER SYMBOL MIN TYP MAX UNITIGBT SPECIFICATIONSCollector to Emitter Breakdown VoltageBVCES 1000 - - VIC = 3 mA, VG

Другие IGBT... DM2G75SH6A , DM2G75SH6N , CY20AAJ-8H , CY25AAJ-8F , SHD724401 , SHD724402 , SHD724502 , SHD724602 , RJP30H1DPD , SHDG1025 , SHSMG1009 , SHSMG1010 , VS-GB100LH120N , VS-GB100LP120N , VS-GB100NH120N , VS-GB100TH120N , VS-GB100TH120U .

History: IXXX110N65B4H1 | SGP5N60RUF

 

 
Back to Top

 


 
.