SHSMG1010 Todos los transistores

 

SHSMG1010 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SHSMG1010

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1000 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.5 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 250 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 200 pF

Encapsulados: SHD-6

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SHSMG1010 datasheet

 ..1. Size:51K  sensitron
 shsmg1010.pdf pdf_icon

SHSMG1010

SENSITRON SHD739601 SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA DATA SHEET 2049, REV. - Formerly part number SHSMG1010 1000 VOLT, 50 AMP IGBT DEVICE HIGH SPEED, LOW VCE IGBT ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tj=250C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED) PARAMETER SYMBOL MIN TYP MAX UNIT PARAMETER SYMBOL MIN TYP MAX UNIT IGBT SPECIFICATIONS Collector to Emitter Breakdown Voltage BVCES 1000 - - V IC = 3 mA, VG

 7.1. Size:61K  sensitron
 shsmg1009.pdf pdf_icon

SHSMG1010

SENSITRON SHD724401 SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA DATA SHEET 1006, REV. - Formerly part number SHSMG1009 600 VOLT, 40 AMP IGBT DEVICE HIGH SPEED, IMPROVED SCSOA ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tj=250C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED) PARAMETER SYMBOL MIN TYP MAX UNIT PARAMETER SYMBOL MIN TYP MAX UNIT IGBT SPECIFICATIONS Collector to Emitter Breakdown Voltage BVCES 600 - - V IC

Otros transistores... CY25AAJ-8F , SHD724401 , SHD724402 , SHD724502 , SHD724602 , SHD739601 , SHDG1025 , SHSMG1009 , RJP30H1DPD , VS-GB100LH120N , VS-GB100LP120N , VS-GB100NH120N , VS-GB100TH120N , VS-GB100TH120U , VS-GB100TP120N , VS-GB100TP120U , VS-GB100TS60NPBF .

History: SPT25N135F1AT8TL | NGTB30N65IHL2WG | SPT40N120T1BT8TL | TT025N120FQ

 

 

 

 

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