SHSMG1010 - аналоги и описание IGBT

 

SHSMG1010 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: SHSMG1010

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1000 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.5 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 250 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 200 pF

Тип корпуса: SHD-6

 Аналог (замена) для SHSMG1010

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SHSMG1010 даташит

 ..1. Size:51K  sensitron
 shsmg1010.pdf pdf_icon

SHSMG1010

SENSITRON SHD739601 SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA DATA SHEET 2049, REV. - Formerly part number SHSMG1010 1000 VOLT, 50 AMP IGBT DEVICE HIGH SPEED, LOW VCE IGBT ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tj=250C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED) PARAMETER SYMBOL MIN TYP MAX UNIT PARAMETER SYMBOL MIN TYP MAX UNIT IGBT SPECIFICATIONS Collector to Emitter Breakdown Voltage BVCES 1000 - - V IC = 3 mA, VG

 7.1. Size:61K  sensitron
 shsmg1009.pdf pdf_icon

SHSMG1010

SENSITRON SHD724401 SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA DATA SHEET 1006, REV. - Formerly part number SHSMG1009 600 VOLT, 40 AMP IGBT DEVICE HIGH SPEED, IMPROVED SCSOA ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tj=250C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED) PARAMETER SYMBOL MIN TYP MAX UNIT PARAMETER SYMBOL MIN TYP MAX UNIT IGBT SPECIFICATIONS Collector to Emitter Breakdown Voltage BVCES 600 - - V IC

Другие IGBT... CY25AAJ-8F , SHD724401 , SHD724402 , SHD724502 , SHD724602 , SHD739601 , SHDG1025 , SHSMG1009 , RJP30H1DPD , VS-GB100LH120N , VS-GB100LP120N , VS-GB100NH120N , VS-GB100TH120N , VS-GB100TH120U , VS-GB100TP120N , VS-GB100TP120U , VS-GB100TS60NPBF .

History: YGW40N65F1A1 | SRE60N065FSU | TA49052

 

 

 

 

↑ Back to Top
.