VS-ENQ030L120S Todos los transistores

VS-ENQ030L120S IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VS-ENQ030L120S

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 121 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 40 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.12 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 39 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 124 pF

Encapsulados: MODULE

- Selección ⓘ de transistores por parámetros