VS-ENQ030L120S - аналоги и описание IGBT

 

VS-ENQ030L120S - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: VS-ENQ030L120S

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 121 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.12 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 39 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 124 pF

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для VS-ENQ030L120S

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

VS-ENQ030L120S даташит

 ..1. Size:314K  vishay
 vs-enq030l120s.pdf pdf_icon

VS-ENQ030L120S

VS-ENQ030L120S www.vishay.com Vishay Semiconductors EMIPAK-1B PressFit Power Module Neutral Point Clamp Topology, 30 A FEATURES Ultrafast Trench IGBT technology HEXFRED and silicon carbide diode technology PressFit pins technology Exposed Al2O3 substrate with low thermal resistance Low internal inductances UL approved file E78996 EMIPAK-1B Material c

Другие IGBT... VS-GB75YF120UT , VS-GB90DA120U , VS-GB90DA60U , VS-GB90SA120U , VS-GP100TS60SFPBF , VS-GP250SA60S , VS-GP300TD60S , VS-GP400TD60S , GT30G122 , VS-ETF075Y60U , VS-ETL015Y120H , F12-25R12KT4G , F12-35R12KT4G , F3L100R07W2E3_B11 , F3L100R12W2H3_B11 , F3L150R07W2E3_B11 , F3L150R12W2H3_B11 .

History: SHD724602 | STGW75H65DFB2-4

 

 

 

 

↑ Back to Top
.