Справочник IGBT. VS-ENQ030L120S

 

VS-ENQ030L120S - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: VS-ENQ030L120S
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 121 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.12 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 39 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 124 pF
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для VS-ENQ030L120S

 

 

VS-ENQ030L120S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:314K  vishay
 vs-enq030l120s.pdf

VS-ENQ030L120S VS-ENQ030L120S

VS-ENQ030L120Swww.vishay.comVishay SemiconductorsEMIPAK-1B PressFit Power Module Neutral Point Clamp Topology, 30 AFEATURES Ultrafast Trench IGBT technology HEXFRED and silicon carbide diode technology PressFit pins technology Exposed Al2O3 substrate with low thermal resistance Low internal inductances UL approved file E78996 EMIPAK-1B Material c

Другие IGBT... VS-GB75YF120UT , VS-GB90DA120U , VS-GB90DA60U , VS-GB90SA120U , VS-GP100TS60SFPBF , VS-GP250SA60S , VS-GP300TD60S , VS-GP400TD60S , STGW60V60DF , VS-ETF075Y60U , VS-ETL015Y120H , F12-25R12KT4G , F12-35R12KT4G , F3L100R07W2E3_B11 , F3L100R12W2H3_B11 , F3L150R07W2E3_B11 , F3L150R12W2H3_B11 .

 

 
Back to Top