VS-ETF075Y60U IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VS-ETF075Y60U
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 186 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 80 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.7 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 72 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 245 pF
Encapsulados: MODULE
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VS-ETF075Y60U datasheet
vs-etf075y60u.pdf
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vs-etl015y120h.pdf
VS-ETL015Y120H www.vishay.com Vishay Semiconductors EMIPAK-2B PressFit Power Module Double Interleaved Boost Converter, 15 A FEATURES Trench IGBT technology HEXFRED clamping diode technology Rectifier bypass diode PressFit pins technology Exposed Al2O3 substrate with low thermal resistance Integrated thermistor 10 s short circuit capability Squar
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History: MMG40A120B6C | NGTB40N120FLWG | T1200TB25A
History: MMG40A120B6C | NGTB40N120FLWG | T1200TB25A
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