VS-ETF075Y60U Todos los transistores

 

VS-ETF075Y60U IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VS-ETF075Y60U

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 186 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.7 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 72 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 245 pF

Encapsulados: MODULE

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VS-ETF075Y60U datasheet

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VS-ETF075Y60U

VS-ETF075Y60U www.vishay.com Vishay Semiconductors EMIPAK-2B PressFit Power Module Three Levels Half-Bridge Inverter Stage, 75 A FEATURES Trench IGBT technology FRED Pt clamping diodes PressFit pins technology Exposed Al2O3 substrate with low thermal resistance Short circuit rated Square RBSOA Integrated thermistor Low internal inductances EMIPA

 9.1. Size:343K  vishay
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VS-ETF075Y60U

VS-ETL015Y120H www.vishay.com Vishay Semiconductors EMIPAK-2B PressFit Power Module Double Interleaved Boost Converter, 15 A FEATURES Trench IGBT technology HEXFRED clamping diode technology Rectifier bypass diode PressFit pins technology Exposed Al2O3 substrate with low thermal resistance Integrated thermistor 10 s short circuit capability Squar

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History: SKM100GB123D | SRE15N065FSUDJ | SII75N12 | SGL40N150D | TGAN40S160FD | SRE40N065FSUDG | YGW50N120FP

 

 

 

 

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