Справочник IGBT. VS-ETF075Y60U

 

VS-ETF075Y60U Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: VS-ETF075Y60U
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 186 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 72 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 245 pF
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

VS-ETF075Y60U Datasheet (PDF)

 ..1. Size:3154K  vishay
 vs-etf075y60u.pdf pdf_icon

VS-ETF075Y60U

VS-ETF075Y60Uwww.vishay.comVishay SemiconductorsEMIPAK-2B PressFit Power Module Three Levels Half-Bridge Inverter Stage, 75 AFEATURES Trench IGBT technology FRED Pt clamping diodes PressFit pins technology Exposed Al2O3 substrate with low thermal resistance Short circuit rated Square RBSOA Integrated thermistor Low internal inductancesEMIPA

 9.1. Size:343K  vishay
 vs-etl015y120h.pdf pdf_icon

VS-ETF075Y60U

VS-ETL015Y120Hwww.vishay.comVishay SemiconductorsEMIPAK-2B PressFit Power Module Double Interleaved Boost Converter, 15 AFEATURES Trench IGBT technology HEXFRED clamping diode technology Rectifier bypass diode PressFit pins technology Exposed Al2O3 substrate with low thermal resistance Integrated thermistor 10 s short circuit capability Squar

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: GA600GD25S | IGZ50N65H5 | MMG150CE065PD6TC | IXGP30N60C3D4 | NCE20TD60BF | NCE40TD120BT | IXGR40N60CD1

 

 
Back to Top

 


 
.