VS-ETL015Y120H IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VS-ETL015Y120H
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 50 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 15 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.61 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 22 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 63 pF
Encapsulados: MODULE
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VS-ETL015Y120H datasheet
vs-etl015y120h.pdf
VS-ETL015Y120H www.vishay.com Vishay Semiconductors EMIPAK-2B PressFit Power Module Double Interleaved Boost Converter, 15 A FEATURES Trench IGBT technology HEXFRED clamping diode technology Rectifier bypass diode PressFit pins technology Exposed Al2O3 substrate with low thermal resistance Integrated thermistor 10 s short circuit capability Squar
vs-etf075y60u.pdf
VS-ETF075Y60U www.vishay.com Vishay Semiconductors EMIPAK-2B PressFit Power Module Three Levels Half-Bridge Inverter Stage, 75 A FEATURES Trench IGBT technology FRED Pt clamping diodes PressFit pins technology Exposed Al2O3 substrate with low thermal resistance Short circuit rated Square RBSOA Integrated thermistor Low internal inductances EMIPA
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History: SKM145GAX123D | SKM145GAR123D | VS-GB400AH120U
History: SKM145GAX123D | SKM145GAR123D | VS-GB400AH120U
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