Справочник IGBT. VS-ETL015Y120H

 

VS-ETL015Y120H Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: VS-ETL015Y120H
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 15 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.61 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 22 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 63 pF
   Тип корпуса: MODULE
 
   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

VS-ETL015Y120H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:343K  vishay
 vs-etl015y120h.pdf pdf_icon

VS-ETL015Y120H

VS-ETL015Y120Hwww.vishay.comVishay SemiconductorsEMIPAK-2B PressFit Power Module Double Interleaved Boost Converter, 15 AFEATURES Trench IGBT technology HEXFRED clamping diode technology Rectifier bypass diode PressFit pins technology Exposed Al2O3 substrate with low thermal resistance Integrated thermistor 10 s short circuit capability Squar

 9.1. Size:3154K  vishay
 vs-etf075y60u.pdf pdf_icon

VS-ETL015Y120H

VS-ETF075Y60Uwww.vishay.comVishay SemiconductorsEMIPAK-2B PressFit Power Module Three Levels Half-Bridge Inverter Stage, 75 AFEATURES Trench IGBT technology FRED Pt clamping diodes PressFit pins technology Exposed Al2O3 substrate with low thermal resistance Short circuit rated Square RBSOA Integrated thermistor Low internal inductancesEMIPA

Другие IGBT... VS-GB90DA60U , VS-GB90SA120U , VS-GP100TS60SFPBF , VS-GP250SA60S , VS-GP300TD60S , VS-GP400TD60S , VS-ENQ030L120S , VS-ETF075Y60U , SGT60U65FD1PT , F12-25R12KT4G , F12-35R12KT4G , F3L100R07W2E3_B11 , F3L100R12W2H3_B11 , F3L150R07W2E3_B11 , F3L150R12W2H3_B11 , F3L15R12W2H3_B27 , F3L200R07PE4 .

 

 
Back to Top

 


 
.