F12-25R12KT4G - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: F12-25R12KT4G
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 160 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 25 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.85 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.4 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 20 nS
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de F12-25R12KT4G - IGBT
F12-25R12KT4G Datasheet (PDF)
f12-25r12kt4g.pdf
Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleF12-25R12KT4GIGBT-modulesEconoPACK3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled4 Diode EconoPACK3 module with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled4 Diode Vorlufige DatenIGBT,Wechselrichter / IGBT,Inverter Preliminary DataHchstzulssige Werte / Maximum Rated ValuesKollektor-Emitter-Sperrspa
Otros transistores... VS-GB90SA120U , VS-GP100TS60SFPBF , VS-GP250SA60S , VS-GP300TD60S , VS-GP400TD60S , VS-ENQ030L120S , VS-ETF075Y60U , VS-ETL015Y120H , IRGP4062D , F12-35R12KT4G , F3L100R07W2E3_B11 , F3L100R12W2H3_B11 , F3L150R07W2E3_B11 , F3L150R12W2H3_B11 , F3L15R12W2H3_B27 , F3L200R07PE4 , F3L200R12W2H3_B11 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2