F12-25R12KT4G - аналоги и описание IGBT

 

F12-25R12KT4G - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: F12-25R12KT4G

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 25 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.85 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 20 nS

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для F12-25R12KT4G

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

F12-25R12KT4G даташит

 ..1. Size:504K  infineon
 f12-25r12kt4g.pdf pdf_icon

F12-25R12KT4G

Technische Information / Technical Information IGBT-Module F12-25R12KT4G IGBT-modules EconoPACK 3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled4 Diode EconoPACK 3 module with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled4 Diode Vorl ufige Daten IGBT,Wechselrichter / IGBT,Inverter Preliminary Data H chstzul ssige Werte / Maximum Rated Values Kollektor-Emitter-Sperrspa

Другие IGBT... VS-GB90SA120U , VS-GP100TS60SFPBF , VS-GP250SA60S , VS-GP300TD60S , VS-GP400TD60S , VS-ENQ030L120S , VS-ETF075Y60U , VS-ETL015Y120H , SGT40N60FD2PT , F12-35R12KT4G , F3L100R07W2E3_B11 , F3L100R12W2H3_B11 , F3L150R07W2E3_B11 , F3L150R12W2H3_B11 , F3L15R12W2H3_B27 , F3L200R07PE4 , F3L200R12W2H3_B11 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.