F12-35R12KT4G - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: F12-35R12KT4G
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 210 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 35 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.85 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.4 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 30 nS
Paquete / Cubierta: MODULE
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F12-35R12KT4G Datasheet (PDF)
f12-35r12kt4g.pdf
/ Technical InformationIGBT-F12-35R12KT4GIGBT-modulesEconoPACK3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und EmCon4 Diode EconoPACK3 module with trench/fieldstop IGBT4 and EmCon4 diode IGBT- / IGBT,Inverter / Preliminary Data / Maximum Rated Values
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Liste
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