Справочник IGBT. F12-35R12KT4G

 

F12-35R12KT4G - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: F12-35R12KT4G
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 210 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 35 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.85 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 30 nS
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для F12-35R12KT4G

 

 

F12-35R12KT4G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:713K  infineon
 f12-35r12kt4g.pdf

F12-35R12KT4G F12-35R12KT4G

/ Technical InformationIGBT-F12-35R12KT4GIGBT-modulesEconoPACK3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und EmCon4 Diode EconoPACK3 module with trench/fieldstop IGBT4 and EmCon4 diode IGBT- / IGBT,Inverter / Preliminary Data / Maximum Rated Values

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , CRG60T60AK3HD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top