F3L400R07ME4_B22 Todos los transistores

 

F3L400R07ME4_B22 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: F3L400R07ME4_B22
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1150 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 400 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.55 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 125 nS
   Paquete / Cubierta: MODULE
 

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F3L400R07ME4_B22 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:957K  infineon
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F3L400R07ME4_B22

/ Technical InformationIGBT-F3L400R07ME4_B22IGBT-modulesEconoDUAL3 / IGBT4 and diode andNTCEconoDUAL3 module with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled Diode and NTCV = 650VCESI = 400A / I = 80

 0.2. Size:959K  infineon
 f3l400r07me4 b23.pdf pdf_icon

F3L400R07ME4_B22

/ Technical InformationIGBT-F3L400R07ME4_B23IGBT-modulesEconoDUAL3 / IGBT4 and diode andNTCEconoDUAL3 module with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled Diode and NTCV = 650VCESI = 400A / I = 80

 5.1. Size:1091K  infineon
 f3l400r07pe4 b26.pdf pdf_icon

F3L400R07ME4_B22

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleF3L400R07PE4_B26IGBT-modulesEconoPACK4 Modul mit aktiver "Neutral Point Clamp 2" Topologie und PressFIT / NTCEconoPACK4 module with active "Neutral Point Clamp 2" topology and PressFIT / NTCVorlufige Daten / Preliminary Data V = 650VCESI = 400A / I = 800AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications

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History: APT44GA60BD30

 

 
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