F3L400R07ME4_B22 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: F3L400R07ME4_B22
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1150 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 400 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.55 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 125 nS
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для F3L400R07ME4_B22
F3L400R07ME4_B22 Datasheet (PDF)
f3l400r07me4 b22.pdf
/ Technical InformationIGBT-F3L400R07ME4_B22IGBT-modulesEconoDUAL3 / IGBT4 and diode andNTCEconoDUAL3 module with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled Diode and NTCV = 650VCESI = 400A / I = 80
f3l400r07me4 b23.pdf
/ Technical InformationIGBT-F3L400R07ME4_B23IGBT-modulesEconoDUAL3 / IGBT4 and diode andNTCEconoDUAL3 module with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled Diode and NTCV = 650VCESI = 400A / I = 80
f3l400r07pe4 b26.pdf
Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleF3L400R07PE4_B26IGBT-modulesEconoPACK4 Modul mit aktiver "Neutral Point Clamp 2" Topologie und PressFIT / NTCEconoPACK4 module with active "Neutral Point Clamp 2" topology and PressFIT / NTCVorlufige Daten / Preliminary Data V = 650VCESI = 400A / I = 800AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , CRG60T60AK3HD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2