F3L75R07W2E3_B11 Todos los transistores

 

F3L75R07W2E3_B11 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: F3L75R07W2E3_B11

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 250 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 75 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.45 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 20 nS

Encapsulados: MODULE

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F3L75R07W2E3_B11 datasheet

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F3L75R07W2E3_B11

Technische Information / Technical Information IGBT-Module F3L75R07W2E3_B11 IGBT-modules EasyPACK Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode und PressFIT / NTC EasyPACK module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and PressFIT / NTC Vorl ufige Daten / Preliminary Data V = 650V CES I = 75A / I = 150A C nom CRM Typische Anwendungen Typical

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F3L75R07W2E3_B11

Technische Information / Technical Information IGBT-Module F3L75R07W2E3_B11 IGBT-modules EasyPACK Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode und PressFIT / NTC EasyPACK module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and PressFIT / NTC Vorl ufige Daten / Preliminary Data V = 650V CES I = 75A / I = 150A C nom CRM Typische Anwendungen Typical

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F3L75R07W2E3_B11

Technische Information / Technical Information IGBT-Modul F3L75R12W1H3_B27 IGBT-Module V = 1200V CES I = 75A / I = 150A C nom CRM Typische Anwendungen Typical Applications 3-Level-Applikationen 3-level-applications Solar Anwendungen Solar applications Elektrische Eigenschaften Electrical Features High Speed IGBT H3 High speed IGBT H3 Niederinduktives

 8.2. Size:1076K  infineon
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F3L75R07W2E3_B11

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