Справочник IGBT. F3L75R07W2E3_B11

 

F3L75R07W2E3_B11 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: F3L75R07W2E3_B11
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.45 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 20 nS
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для F3L75R07W2E3_B11

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

F3L75R07W2E3_B11 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:764K  infineon
 f3l75r07w2e3 b11.pdf pdf_icon

F3L75R07W2E3_B11

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleF3L75R07W2E3_B11IGBT-modulesEasyPACK Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode und PressFIT / NTCEasyPACK module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and PressFIT / NTCVorlufige Daten / Preliminary DataV = 650VCESI = 75A / I = 150AC nom CRMTypische Anwendungen Typical

 2.1. Size:816K  infineon
 f3l75r07w2e3-b11.pdf pdf_icon

F3L75R07W2E3_B11

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleF3L75R07W2E3_B11IGBT-modulesEasyPACK Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode und PressFIT / NTCEasyPACK module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and PressFIT / NTCVorlufige Daten / Preliminary DataV = 650VCESI = 75A / I = 150AC nom CRMTypische Anwendungen Typical

 8.1. Size:1078K  infineon
 f3l75r12w1h3-b27.pdf pdf_icon

F3L75R07W2E3_B11

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModulF3L75R12W1H3_B27IGBT-ModuleV = 1200VCESI = 75A / I = 150AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications 3-Level-Applikationen 3-level-applications Solar Anwendungen Solar applicationsElektrische Eigenschaften Electrical Features High Speed IGBT H3 High speed IGBT H3 Niederinduktives

 8.2. Size:1076K  infineon
 f3l75r12w1h3-b11.pdf pdf_icon

F3L75R07W2E3_B11

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModulF3L75R12W1H3_B11IGBT-ModuleVorlufige Daten / Preliminary DataV = 1200VCESI = 75A / I = 150AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications 3-Level-Applikationen 3-Level-Applications Solar Anwendungen Solar ApplicationsElektrische Eigenschaften Electrical Features Niederinduktives Design

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , IKW30N60H3 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: IXGA12N120A3 | NGTB40N60FLWG | DGW60N65BTH | IXSH35N140A | BSM100GB120DN2 | SPT15N120T1T8TL | MMG75H060XB6EN

 

 
Back to Top

 


 
.