F3L75R12W1H3_B27 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: F3L75R12W1H3_B27
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 275 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 75 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.45 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 10 nS
Encapsulados: MODULE
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F3L75R12W1H3_B27 datasheet
f3l75r12w1h3 b27.pdf
/ Technical Information IGBT- F3L75R12W1H3_B27 IGBT-Module V = 1200V CES I = 75A / I = 150A C nom CRM Typical Applications 3-Level-Applications Solar Applications Electrical Features Low Inductive Design Low Switching Losses V
f3l75r12w1h3-b27.pdf
Technische Information / Technical Information IGBT-Modul F3L75R12W1H3_B27 IGBT-Module V = 1200V CES I = 75A / I = 150A C nom CRM Typische Anwendungen Typical Applications 3-Level-Applikationen 3-level-applications Solar Anwendungen Solar applications Elektrische Eigenschaften Electrical Features High Speed IGBT H3 High speed IGBT H3 Niederinduktives
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History: NCE15TD60BT
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