F3L75R12W1H3_B27 Todos los transistores

 

F3L75R12W1H3_B27 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: F3L75R12W1H3_B27
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 275 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 75 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.45 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 10 nS
   Paquete / Cubierta: MODULE
 

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F3L75R12W1H3_B27 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:1355K  infineon
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F3L75R12W1H3_B27

/ Technical InformationIGBT-F3L75R12W1H3_B27IGBT-ModuleV = 1200VCESI = 75A / I = 150AC nom CRM Typical Applications 3-Level-Applications Solar Applications Electrical Features Low Inductive Design Low Switching Losses V

 2.1. Size:1078K  infineon
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F3L75R12W1H3_B27

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModulF3L75R12W1H3_B27IGBT-ModuleV = 1200VCESI = 75A / I = 150AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications 3-Level-Applikationen 3-level-applications Solar Anwendungen Solar applicationsElektrische Eigenschaften Electrical Features High Speed IGBT H3 High speed IGBT H3 Niederinduktives

 2.2. Size:1076K  infineon
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F3L75R12W1H3_B27

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModulF3L75R12W1H3_B11IGBT-ModuleVorlufige Daten / Preliminary DataV = 1200VCESI = 75A / I = 150AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications 3-Level-Applikationen 3-Level-Applications Solar Anwendungen Solar ApplicationsElektrische Eigenschaften Electrical Features Niederinduktives Design

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History: BUK866-400IZ | FGHL40S65UQ | IXGA30N60C3 | 2MBI600NT-060 | SGW13N60UFD | BSM200GAL120DLC | IXSX35N120AU1

 

 
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