F3L75R12W1H3_B27 - аналоги и описание IGBT

 

F3L75R12W1H3_B27 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: F3L75R12W1H3_B27

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 275 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.45 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 10 nS

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для F3L75R12W1H3_B27

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

F3L75R12W1H3_B27 даташит

 0.1. Size:1355K  infineon
 f3l75r12w1h3 b27.pdf pdf_icon

F3L75R12W1H3_B27

/ Technical Information IGBT- F3L75R12W1H3_B27 IGBT-Module V = 1200V CES I = 75A / I = 150A C nom CRM Typical Applications 3-Level-Applications Solar Applications Electrical Features Low Inductive Design Low Switching Losses V

 2.1. Size:1078K  infineon
 f3l75r12w1h3-b27.pdf pdf_icon

F3L75R12W1H3_B27

Technische Information / Technical Information IGBT-Modul F3L75R12W1H3_B27 IGBT-Module V = 1200V CES I = 75A / I = 150A C nom CRM Typische Anwendungen Typical Applications 3-Level-Applikationen 3-level-applications Solar Anwendungen Solar applications Elektrische Eigenschaften Electrical Features High Speed IGBT H3 High speed IGBT H3 Niederinduktives

 2.2. Size:1076K  infineon
 f3l75r12w1h3-b11.pdf pdf_icon

F3L75R12W1H3_B27

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... F3L300R12MT4_B22 , F3L300R12MT4_B23 , F3L300R12PT4_B26 , F3L400R07ME4_B22 , F3L400R07ME4_B23 , F3L400R07PE4_B26 , F3L400R12PT4_B26 , F3L75R07W2E3_B11 , IRGP4062D , F3L80R12W1H3_B11 , F4-100R06KL4 , F4-100R12KS4 , F4-150R12KS4 , F4-200R06KL4 , F4-30R06W1E3 , F4-50R06W1E3 , F4-50R07W2H3_B51 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.