F3L80R12W1H3_B11 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: F3L80R12W1H3_B11
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 275 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 80 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.55 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 30 nS
Encapsulados: MODULE
Búsqueda de reemplazo de F3L80R12W1H3_B11 IGBT
- Selección ⓘ de transistores por parámetros
F3L80R12W1H3_B11 datasheet
f3l80r12w1h3 b11.pdf
/ Technical Information IGBT- F3L80R12W1H3_B11 IGBT-modules EasyPACK 2 and PressFIT / NTC EasyPACK module with active Neutral Point Clamp 2 topology and PressFIT / NTC / Preliminary Data V = 1200V CES I = 80A
Otros transistores... F3L300R12MT4_B23 , F3L300R12PT4_B26 , F3L400R07ME4_B22 , F3L400R07ME4_B23 , F3L400R07PE4_B26 , F3L400R12PT4_B26 , F3L75R07W2E3_B11 , F3L75R12W1H3_B27 , GT30F132 , F4-100R06KL4 , F4-100R12KS4 , F4-150R12KS4 , F4-200R06KL4 , F4-30R06W1E3 , F4-50R06W1E3 , F4-50R07W2H3_B51 , F4-50R12KS4 .
History: FD300R12KS4_B5
History: FD300R12KS4_B5
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