F3L80R12W1H3_B11 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: F3L80R12W1H3_B11
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 275
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 1200
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 80
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.55
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 6.5
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 30
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de F3L80R12W1H3_B11 - IGBT
F3L80R12W1H3_B11 Datasheet (PDF)
f3l80r12w1h3 b11.pdf
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/ Technical InformationIGBT-F3L80R12W1H3_B11IGBT-modulesEasyPACK 2 and PressFIT / NTCEasyPACK module with active Neutral Point Clamp 2 topology and PressFIT / NTC / Preliminary DataV = 1200VCESI = 80A
Otros transistores... F3L300R12MT4_B23 , F3L300R12PT4_B26 , F3L400R07ME4_B22 , F3L400R07ME4_B23 , F3L400R07PE4_B26 , F3L400R12PT4_B26 , F3L75R07W2E3_B11 , F3L75R12W1H3_B27 , IRGP4062D , F4-100R06KL4 , F4-100R12KS4 , F4-150R12KS4 , F4-200R06KL4 , F4-30R06W1E3 , F4-50R06W1E3 , F4-50R07W2H3_B51 , F4-50R12KS4 .
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
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