F3L80R12W1H3_B11 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: F3L80R12W1H3_B11
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 275 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 80 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.55 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 30 nS
Paquete / Cubierta: MODULE
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F3L80R12W1H3_B11 Datasheet (PDF)
0.1. Size:1146K infineon
f3l80r12w1h3 b11.pdf
f3l80r12w1h3 b11.pdf
/ Technical InformationIGBT-F3L80R12W1H3_B11IGBT-modulesEasyPACK 2 and PressFIT / NTCEasyPACK module with active Neutral Point Clamp 2 topology and PressFIT / NTC / Preliminary DataV = 1200VCESI = 80A
Otros transistores... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , CRG60T60AK3HD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
Liste
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