F3L80R12W1H3_B11 - аналоги и описание IGBT

 

F3L80R12W1H3_B11 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: F3L80R12W1H3_B11

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 275 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.55 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 30 nS

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для F3L80R12W1H3_B11

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

F3L80R12W1H3_B11 даташит

 0.1. Size:1146K  infineon
 f3l80r12w1h3 b11.pdf pdf_icon

F3L80R12W1H3_B11

/ Technical Information IGBT- F3L80R12W1H3_B11 IGBT-modules EasyPACK 2 and PressFIT / NTC EasyPACK module with active Neutral Point Clamp 2 topology and PressFIT / NTC / Preliminary Data V = 1200V CES I = 80A

Другие IGBT... F3L300R12MT4_B23 , F3L300R12PT4_B26 , F3L400R07ME4_B22 , F3L400R07ME4_B23 , F3L400R07PE4_B26 , F3L400R12PT4_B26 , F3L75R07W2E3_B11 , F3L75R12W1H3_B27 , GT30F132 , F4-100R06KL4 , F4-100R12KS4 , F4-150R12KS4 , F4-200R06KL4 , F4-30R06W1E3 , F4-50R06W1E3 , F4-50R07W2H3_B51 , F4-50R12KS4 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.