Справочник IGBT. F3L80R12W1H3_B11

 

F3L80R12W1H3_B11 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: F3L80R12W1H3_B11
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 275 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.55 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 30 nS
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для F3L80R12W1H3_B11

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

F3L80R12W1H3_B11 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:1146K  infineon
 f3l80r12w1h3 b11.pdf pdf_icon

F3L80R12W1H3_B11

/ Technical InformationIGBT-F3L80R12W1H3_B11IGBT-modulesEasyPACK 2 and PressFIT / NTCEasyPACK module with active Neutral Point Clamp 2 topology and PressFIT / NTC / Preliminary DataV = 1200VCESI = 80A

Другие IGBT... F3L300R12MT4_B23 , F3L300R12PT4_B26 , F3L400R07ME4_B22 , F3L400R07ME4_B23 , F3L400R07PE4_B26 , F3L400R12PT4_B26 , F3L75R07W2E3_B11 , F3L75R12W1H3_B27 , IRGP4063 , F4-100R06KL4 , F4-100R12KS4 , F4-150R12KS4 , F4-200R06KL4 , F4-30R06W1E3 , F4-50R06W1E3 , F4-50R07W2H3_B51 , F4-50R12KS4 .

History: MMG50S170B6TC | STGWT40V60DLF | CM200RX-12A | NGTB30N65IHL2WG | MMG800K060U6EN

 

 
Back to Top

 


 
.