Справочник IGBT. F3L80R12W1H3_B11

 

F3L80R12W1H3_B11 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: F3L80R12W1H3_B11
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 275 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.55 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 30 nS
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для F3L80R12W1H3_B11

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

F3L80R12W1H3_B11 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:1146K  infineon
 f3l80r12w1h3 b11.pdf pdf_icon

F3L80R12W1H3_B11

/ Technical InformationIGBT-F3L80R12W1H3_B11IGBT-modulesEasyPACK 2 and PressFIT / NTCEasyPACK module with active Neutral Point Clamp 2 topology and PressFIT / NTC / Preliminary DataV = 1200VCESI = 80A

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , IKW30N60H3 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: BSM50GD60DLC_E3226 | NGTB50N120FL2WG | STGW40NC60W | OST20N135HRF | FGH60T65SQD-F155 | IXGN200N60

 

 
Back to Top

 


 
.