F4-200R06KL4 Todos los transistores

 

F4-200R06KL4 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: F4-200R06KL4
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 695 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 200 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.95 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 40 nS
   Paquete / Cubierta: MODULE
 

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F4-200R06KL4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:335K  eupec
 f4-200r06kl4.pdf pdf_icon

F4-200R06KL4

Technische Information / technical informationIGBT-ModuleF4-200R06KL4IGBT-modulesVorlufige Datenpreliminary dataIGBT-Wechselrichter / IGBT-inverterHchstzulssige Werte / maximum rated valuesKollektor-Emitter-SperrspannungT = 25C V 600 Vcollector-emitter voltageKollektor-Dauergleichstrom T = 45C I 200 ADC-collector current T = 25C I 225 APeriodischer Kollekto

 7.1. Size:545K  infineon
 f4-200r17n3e4.pdf pdf_icon

F4-200R06KL4

F4-200R17N3E4EconoPACK3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled Diode und NTCEconoPACK3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled diode and NTC V = 1700VCESI = 200A / I = 400AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications Hochleistungsumrichter High power converters Mittelspannungsantriebe Medium voltage convertersEle

Otros transistores... F3L400R07PE4_B26 , F3L400R12PT4_B26 , F3L75R07W2E3_B11 , F3L75R12W1H3_B27 , F3L80R12W1H3_B11 , F4-100R06KL4 , F4-100R12KS4 , F4-150R12KS4 , GT30F124 , F4-30R06W1E3 , F4-50R06W1E3 , F4-50R07W2H3_B51 , F4-50R12KS4 , F4-50R12KS4_B11 , F4-50R12MS4 , F4-75R06W1E3 , F4-75R07W2H3_B51 .

History: DL2G75SH6N | DG40X12T2 | HGTD10N50F1S | IRG4PC50UDPBF | FGW15N120HD

 

 
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