Справочник IGBT. F4-200R06KL4

 

F4-200R06KL4 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: F4-200R06KL4
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 695 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 200 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.95 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 40 nS
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для F4-200R06KL4

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

F4-200R06KL4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:335K  eupec
 f4-200r06kl4.pdf pdf_icon

F4-200R06KL4

Technische Information / technical informationIGBT-ModuleF4-200R06KL4IGBT-modulesVorlufige Datenpreliminary dataIGBT-Wechselrichter / IGBT-inverterHchstzulssige Werte / maximum rated valuesKollektor-Emitter-SperrspannungT = 25C V 600 Vcollector-emitter voltageKollektor-Dauergleichstrom T = 45C I 200 ADC-collector current T = 25C I 225 APeriodischer Kollekto

 7.1. Size:545K  infineon
 f4-200r17n3e4.pdf pdf_icon

F4-200R06KL4

F4-200R17N3E4EconoPACK3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled Diode und NTCEconoPACK3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled diode and NTC V = 1700VCESI = 200A / I = 400AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications Hochleistungsumrichter High power converters Mittelspannungsantriebe Medium voltage convertersEle

Другие IGBT... F3L400R07PE4_B26 , F3L400R12PT4_B26 , F3L75R07W2E3_B11 , F3L75R12W1H3_B27 , F3L80R12W1H3_B11 , F4-100R06KL4 , F4-100R12KS4 , F4-150R12KS4 , GT30F124 , F4-30R06W1E3 , F4-50R06W1E3 , F4-50R07W2H3_B51 , F4-50R12KS4 , F4-50R12KS4_B11 , F4-50R12MS4 , F4-75R06W1E3 , F4-75R07W2H3_B51 .

 

 
Back to Top

 


 
.