F4-200R06KL4 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: F4-200R06KL4
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 695 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 200 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.95 V @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 40 nS
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для F4-200R06KL4
F4-200R06KL4 Datasheet (PDF)
f4-200r06kl4.pdf

Technische Information / technical informationIGBT-ModuleF4-200R06KL4IGBT-modulesVorlufige Datenpreliminary dataIGBT-Wechselrichter / IGBT-inverterHchstzulssige Werte / maximum rated valuesKollektor-Emitter-SperrspannungT = 25C V 600 Vcollector-emitter voltageKollektor-Dauergleichstrom T = 45C I 200 ADC-collector current T = 25C I 225 APeriodischer Kollekto
f4-200r17n3e4.pdf

F4-200R17N3E4EconoPACK3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled Diode und NTCEconoPACK3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled diode and NTC V = 1700VCESI = 200A / I = 400AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications Hochleistungsumrichter High power converters Mittelspannungsantriebe Medium voltage convertersEle
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , IKW30N60H3 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
History: VS-GT300YH120N | IGC18T120T8L
History: VS-GT300YH120N | IGC18T120T8L



Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
tip35 datasheet | tip36c datasheet | 2sc461 | hy1906 | 2sc2238 | 2sc458 transistor | b649a transistor | 2sa606