F4-200R06KL4 - аналоги и описание IGBT

 

F4-200R06KL4 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: F4-200R06KL4

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 695 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 200 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.95 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 40 nS

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для F4-200R06KL4

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

F4-200R06KL4 даташит

 ..1. Size:335K  eupec
 f4-200r06kl4.pdf pdf_icon

F4-200R06KL4

Technische Information / technical information IGBT-Module F4-200R06KL4 IGBT-modules Vorl ufige Daten preliminary data IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter H chstzul ssige Werte / maximum rated values Kollektor-Emitter-Sperrspannung T = 25 C V 600 V collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom T = 45 C I 200 A DC-collector current T = 25 C I 225 A Periodischer Kollekto

 7.1. Size:545K  infineon
 f4-200r17n3e4.pdf pdf_icon

F4-200R06KL4

F4-200R17N3E4 EconoPACK 3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled Diode und NTC EconoPACK 3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled diode and NTC V = 1700V CES I = 200A / I = 400A C nom CRM Typische Anwendungen Typical Applications Hochleistungsumrichter High power converters Mittelspannungsantriebe Medium voltage converters Ele

Другие IGBT... F3L400R07PE4_B26 , F3L400R12PT4_B26 , F3L75R07W2E3_B11 , F3L75R12W1H3_B27 , F3L80R12W1H3_B11 , F4-100R06KL4 , F4-100R12KS4 , F4-150R12KS4 , GT30F124 , F4-30R06W1E3 , F4-50R06W1E3 , F4-50R07W2H3_B51 , F4-50R12KS4 , F4-50R12KS4_B11 , F4-50R12MS4 , F4-75R06W1E3 , F4-75R07W2H3_B51 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.