F4-75R06W1E3 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: F4-75R06W1E3
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 275 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 75 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.45 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 17 nS
Paquete / Cubierta: MODULE
- Selección de transistores por parámetros
F4-75R06W1E3 Datasheet (PDF)
f4-75r06w1e3.pdf

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f4-75r07w1h3-b11a.pdf

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleF4-75R07W1H3_B11AIGBT-modulesEasyPACK Modul mit schnellem Trench/Feldstopp IGBT3 und Rapid 1 Diode und PressFIT / NTCEasyPACK module with fast Trench/Fieldstop IGBT3 and Rapid 1 diode and PressFIT / NTCV = 650VCESI = 37,5A / I = 75AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications Anwendungen im Automobil
f4-75r07w2h3 b51.pdf

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModulF4-75R07W2H3_B51IGBT-ModuleEasyBRIDGE Modul mit CoolMOS und PressFIT / NTCEasyBRIDGE module with CoolMOS and PressFIT / NTCVorlufige Daten / Preliminary DataV = 650VCESI = 75A / I = 150AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications Solar Anwendungen Solar ApplicationsElektrische Eigenschaften Ele
f4-75r12ms4.pdf

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleF4-75R12MS4IGBT-modulesEconoDUAL2 Modul mit schnellem IGBT2 fr hochfrequentes Schalten und NTCEconoDUAL2 module with the fast IGBT2 for high-frequency switching and NTCV = 1200VCESI = 75A / I = 150AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications Anwendungen mit hohen Schaltfrequenzen High Frequency
Otros transistores... F4-150R12KS4 , F4-200R06KL4 , F4-30R06W1E3 , F4-50R06W1E3 , F4-50R07W2H3_B51 , F4-50R12KS4 , F4-50R12KS4_B11 , F4-50R12MS4 , MBQ60T65PES , F4-75R07W2H3_B51 , F4-75R12KS4 , F4-75R12KS4_B11 , F4-75R12MS4 , FB10R06KL4G , FB15R06KL4B1 , FB15R06W1E3 , FB20R06KL4 .
History: FD600R12IP4D | FGPF4565 | SM2G100US60 | IGB15N65S5 | IRG4BC30W-S | APT33GF120B2RD
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
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