F4-75R06W1E3 Todos los transistores

 

F4-75R06W1E3 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: F4-75R06W1E3
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 275 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 75 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.45 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 17 nS
   Paquete / Cubierta: MODULE
     - Selección de transistores por parámetros

 

F4-75R06W1E3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:789K  infineon
f4-75r06w1e3.pdf pdf_icon

F4-75R06W1E3

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleF4-75R06W1E3IGBT-modulesEasyPACK Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode und NTCEasyPACK module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and NTCV = 600VCESI = 75A / I = 150AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications Hilfsumrichter Auxiliary Inverters I

 7.1. Size:844K  infineon
f4-75r07w1h3-b11a.pdf pdf_icon

F4-75R06W1E3

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleF4-75R07W1H3_B11AIGBT-modulesEasyPACK Modul mit schnellem Trench/Feldstopp IGBT3 und Rapid 1 Diode und PressFIT / NTCEasyPACK module with fast Trench/Fieldstop IGBT3 and Rapid 1 diode and PressFIT / NTCV = 650VCESI = 37,5A / I = 75AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications Anwendungen im Automobil

 7.2. Size:920K  infineon
f4-75r07w2h3 b51.pdf pdf_icon

F4-75R06W1E3

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModulF4-75R07W2H3_B51IGBT-ModuleEasyBRIDGE Modul mit CoolMOS und PressFIT / NTCEasyBRIDGE module with CoolMOS and PressFIT / NTCVorlufige Daten / Preliminary DataV = 650VCESI = 75A / I = 150AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications Solar Anwendungen Solar ApplicationsElektrische Eigenschaften Ele

 8.1. Size:556K  infineon
f4-75r12ms4.pdf pdf_icon

F4-75R06W1E3

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleF4-75R12MS4IGBT-modulesEconoDUAL2 Modul mit schnellem IGBT2 fr hochfrequentes Schalten und NTCEconoDUAL2 module with the fast IGBT2 for high-frequency switching and NTCV = 1200VCESI = 75A / I = 150AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications Anwendungen mit hohen Schaltfrequenzen High Frequency

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History: FD600R12IP4D | FGPF4565 | SM2G100US60 | IGB15N65S5 | IRG4BC30W-S | APT33GF120B2RD

 

 
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