F4-75R06W1E3 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: F4-75R06W1E3
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 275 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.45 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 17 nS
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для F4-75R06W1E3
F4-75R06W1E3 Datasheet (PDF)
f4-75r06w1e3.pdf
Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleF4-75R06W1E3IGBT-modulesEasyPACK Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode und NTCEasyPACK module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and NTCV = 600VCESI = 75A / I = 150AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications Hilfsumrichter Auxiliary Inverters I
f4-75r07w1h3-b11a.pdf
Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleF4-75R07W1H3_B11AIGBT-modulesEasyPACK Modul mit schnellem Trench/Feldstopp IGBT3 und Rapid 1 Diode und PressFIT / NTCEasyPACK module with fast Trench/Fieldstop IGBT3 and Rapid 1 diode and PressFIT / NTCV = 650VCESI = 37,5A / I = 75AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications Anwendungen im Automobil
f4-75r07w2h3 b51.pdf
Technische Information / Technical InformationIGBT-ModulF4-75R07W2H3_B51IGBT-ModuleEasyBRIDGE Modul mit CoolMOS und PressFIT / NTCEasyBRIDGE module with CoolMOS and PressFIT / NTCVorlufige Daten / Preliminary DataV = 650VCESI = 75A / I = 150AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications Solar Anwendungen Solar ApplicationsElektrische Eigenschaften Ele
f4-75r12ms4.pdf
Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleF4-75R12MS4IGBT-modulesEconoDUAL2 Modul mit schnellem IGBT2 fr hochfrequentes Schalten und NTCEconoDUAL2 module with the fast IGBT2 for high-frequency switching and NTCV = 1200VCESI = 75A / I = 150AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications Anwendungen mit hohen Schaltfrequenzen High Frequency
f4-75r12ks4 b11.pdf
/ Technical InformationIGBT-F4-75R12KS4_B11IGBT-modulesEconoPACK2 IGBT pressfitNTCEconoPACK2 module with the fast IGBT2 for high-frequency switching and PressFIT / NTC / Preliminary DataV = 1200VCESI = 75A / I = 150AC nom CRM Typ
f4-75r12ks4.pdf
Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleF4-75R12KS4IGBT-modulesVorlufige DatenIGBT,Wechselrichter / IGBT,Inverter Preliminary DataHchstzulssige Werte / Maximum Rated ValuesKollektor-Emitter-SperrspannungT = 25C V 1200 Vvj CESCollector-emitter voltageKollektor-Dauergleichstrom T = 65C, T = 150C I 75 AC vj max C nomContinuous DC collector cur
f4-75r12ks4-b11.pdf
Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleF4-75R12KS4_B11IGBT-modulesEconoPACK2 Modul mit schnellem IGBT2 fr hochfrequentes Schalten und PressFIT / NTCEconoPACK2 module with the fast IGBT2 for high-frequency switching and PressFIT / NTCVorlufige Daten / Preliminary DataV = 1200VCESI = 75A / I = 150AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications
Другие IGBT... F4-150R12KS4 , F4-200R06KL4 , F4-30R06W1E3 , F4-50R06W1E3 , F4-50R07W2H3_B51 , F4-50R12KS4 , F4-50R12KS4_B11 , F4-50R12MS4 , FGPF4536 , F4-75R07W2H3_B51 , F4-75R12KS4 , F4-75R12KS4_B11 , F4-75R12MS4 , FB10R06KL4G , FB15R06KL4B1 , FB15R06W1E3 , FB20R06KL4 .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2