HGTP3N60A4D - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HGTP3N60A4D
Polaridad de transistor: N-Channel
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc):
Tensión colector-emisor (Vce): 600
Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat):
Tensión emisor-compuerta (Veg):
Corriente del colector DC máxima (Ic):
Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 150
Tiempo de elevación:
Capacitancia de salida (Cc), pF:
Empaquetado / Estuche: TO220AB
Búsqueda de reemplazo de HGTP3N60A4D - IGBT
HGTP3N60A4D Datasheet (PDF)
6.1. hgtp3n60.pdf Size:390K _harris_semi
HGTP3N60C3D, HGT1S3N60C3D,S E M I C O N D U C T O RHGT1S3N60C3DS6A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTwith Anti-Parallel Hyperfast DiodeMay 1996Features PackagingJEDEC TO-220AB 6A, 600V at TC = +25oCEMITTERCOLLECTOR 600V Switching SOA CapabilityGATE Typical Fall Time - 130ns at TJ = +150oCCOLLECTOR (FLANGE) Short Circuit Rating Low Conduction Loss
Otros transistores... HGTP20N60B3 , HGTP20N60C3 , HGTP20N60C3R , HGTP2N120BN , HGTP2N120BND , HGTP2N120CN , HGTP2N120CND , HGTP3N60A4 , SGW10N60A , HGTP3N60B3 , HGTP3N60B3D , HGTP3N60C3 , HGTP3N60C3D , HGTP5N120BN , HGTP5N120BND , HGTP5N120CN , HGTP5N120CND .



Liste
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