HGTP3N60A4D - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: HGTP3N60A4D
Тип управляющего канала: N-Channel
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600
Максимальная температура перехода (Tj): 150
Тип корпуса: TO220AB
Аналог (замена) для HGTP3N60A4D
HGTP3N60A4D Datasheet (PDF)
6.1. hgtp3n60.pdf Size:390K _harris_semi
HGTP3N60C3D, HGT1S3N60C3D,S E M I C O N D U C T O RHGT1S3N60C3DS6A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTwith Anti-Parallel Hyperfast DiodeMay 1996Features PackagingJEDEC TO-220AB 6A, 600V at TC = +25oCEMITTERCOLLECTOR 600V Switching SOA CapabilityGATE Typical Fall Time - 130ns at TJ = +150oCCOLLECTOR (FLANGE) Short Circuit Rating Low Conduction Loss
Другие IGBT... HGTP20N60B3 , HGTP20N60C3 , HGTP20N60C3R , HGTP2N120BN , HGTP2N120BND , HGTP2N120CN , HGTP2N120CND , HGTP3N60A4 , SGW10N60A , HGTP3N60B3 , HGTP3N60B3D , HGTP3N60C3 , HGTP3N60C3D , HGTP5N120BN , HGTP5N120BND , HGTP5N120CN , HGTP5N120CND .



Список транзисторов
Обновления
IGBT: FGL40N120AND | FGA40N65SMD | MGD622 | GT50N324 | BT60N60ANF | 2PG011 | MBQ40T65FDSC | IGF40T120F | FGPF30N45TTU | FGH40T65SHDF_F155 | IXBT15N170