FB10R06KL4G - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FB10R06KL4G
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 69.5 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 10 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.95 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 25 nS
Paquete / Cubierta: MODULE
- Selección de transistores por parámetros
FB10R06KL4G Datasheet (PDF)
fb10r06kl4g.pdf

Technische Information / technical informationIGBT-ModuleFB10R06KL4GIGBT-modulesIGBT-Wechselrichter / IGBT-inverterHchstzulssige Werte / maximum rated valuesKollektor-Emitter-SperrspannungT = 25C V 600 Vcollector-emitter voltageKollektor-Dauergleichstrom T = 80C, T = 150C I 10 ADC-collector current T = 25C, T = 150C I 16 APeriodischer Kollektor Spitzenstrom
Otros transistores... F4-50R12KS4 , F4-50R12KS4_B11 , F4-50R12MS4 , F4-75R06W1E3 , F4-75R07W2H3_B51 , F4-75R12KS4 , F4-75R12KS4_B11 , F4-75R12MS4 , FGH60N60SMD , FB15R06KL4B1 , FB15R06W1E3 , FB20R06KL4 , FB20R06W1E3 , FB20R06W1E3_B11 , FB30R06W1E3 , FD1000R17IE4 , FD1000R17IE4D_B2 .
History: IXBT2N250 | DIM800DCS12-A | SL25T120FL | CM400DY-66H | MMG100J060U | IRGP4266D | BLG50T65FLA-F
History: IXBT2N250 | DIM800DCS12-A | SL25T120FL | CM400DY-66H | MMG100J060U | IRGP4266D | BLG50T65FLA-F



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
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