FB10R06KL4G Todos los transistores

 

FB10R06KL4G IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FB10R06KL4G

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 69.5 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.95 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 25 nS

Encapsulados: MODULE

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FB10R06KL4G datasheet

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FB10R06KL4G

Technische Information / technical information IGBT-Module FB10R06KL4G IGBT-modules IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter H chstzul ssige Werte / maximum rated values Kollektor-Emitter-Sperrspannung T = 25 C V 600 V collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom T = 80 C, T = 150 C I 10 A DC-collector current T = 25 C, T = 150 C I 16 A Periodischer Kollektor Spitzenstrom

Otros transistores... F4-50R12KS4 , F4-50R12KS4_B11 , F4-50R12MS4 , F4-75R06W1E3 , F4-75R07W2H3_B51 , F4-75R12KS4 , F4-75R12KS4_B11 , F4-75R12MS4 , RJP30H2A , FB15R06KL4B1 , FB15R06W1E3 , FB20R06KL4 , FB20R06W1E3 , FB20R06W1E3_B11 , FB30R06W1E3 , FD1000R17IE4 , FD1000R17IE4D_B2 .

History: FD800R33KL2C-K_B5 | FB20R06W1E3_B11

 

 

 

 

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