Справочник IGBT. FB10R06KL4G

 

FB10R06KL4G Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: FB10R06KL4G
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 69.5 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 10 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.95 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 25 nS
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для FB10R06KL4G

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

FB10R06KL4G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:297K  eupec
 fb10r06kl4g.pdf pdf_icon

FB10R06KL4G

Technische Information / technical informationIGBT-ModuleFB10R06KL4GIGBT-modulesIGBT-Wechselrichter / IGBT-inverterHchstzulssige Werte / maximum rated valuesKollektor-Emitter-SperrspannungT = 25C V 600 Vcollector-emitter voltageKollektor-Dauergleichstrom T = 80C, T = 150C I 10 ADC-collector current T = 25C, T = 150C I 16 APeriodischer Kollektor Spitzenstrom

Другие IGBT... F4-50R12KS4 , F4-50R12KS4_B11 , F4-50R12MS4 , F4-75R06W1E3 , F4-75R07W2H3_B51 , F4-75R12KS4 , F4-75R12KS4_B11 , F4-75R12MS4 , FGH60N60SMD , FB15R06KL4B1 , FB15R06W1E3 , FB20R06KL4 , FB20R06W1E3 , FB20R06W1E3_B11 , FB30R06W1E3 , FD1000R17IE4 , FD1000R17IE4D_B2 .

 

 
Back to Top

 


 
.