FB15R06KL4B1 Todos los transistores

 

FB15R06KL4B1 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FB15R06KL4B1
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 60 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 15 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.95 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 37 nS
   Paquete / Cubierta: MODULE
 

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FB15R06KL4B1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:312K  eupec
 fb15r06kl4b1.pdf pdf_icon

FB15R06KL4B1

Technische Information / technical informationIGBT-ModuleFB15R06KL4B1IGBT-ModulesVorlufigpreliminaryElektrische Eigenschaften / electrical propertiesHchstzulssige Werte / maximum rated valuesDiode Gleichrichter/ diode rectifierPeriodische Rckw. SpitzensperrspannungTvj =25C VRRM 800 Vrepetitive peak reverse voltageDurchlastrom Grenzeffektivwert pro ChipTC =

 7.1. Size:1096K  infineon
 fb15r06w1e3.pdf pdf_icon

FB15R06KL4B1

/ Technical InformationIGBT-FB15R06W1E3IGBT-modulesEasyPIM /IGBT3 NTCEasyPIM module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and NTC / Preliminary DataV = 600VCESI = 15A / I = 30AC nom CRM Typical Applications

Otros transistores... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , IKW30N60H3 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
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