FB15R06KL4B1 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FB15R06KL4B1
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 60 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 15 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.95 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 37 nS
Encapsulados: MODULE
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FB15R06KL4B1 datasheet
fb15r06kl4b1.pdf
Technische Information / technical information IGBT-Module FB15R06KL4B1 IGBT-Modules Vorl ufig preliminary Elektrische Eigenschaften / electrical properties H chstzul ssige Werte / maximum rated values Diode Gleichrichter/ diode rectifier Periodische R ckw. Spitzensperrspannung Tvj =25 C VRRM 800 V repetitive peak reverse voltage Durchla strom Grenzeffektivwert pro Chip TC =
fb15r06w1e3.pdf
/ Technical Information IGBT- FB15R06W1E3 IGBT-modules EasyPIM / IGBT3 NTC EasyPIM module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and NTC / Preliminary Data V = 600V CES I = 15A / I = 30A C nom CRM Typical Applications
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History: FD1200R17KE3-K_B2
History: FD1200R17KE3-K_B2
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