Справочник IGBT. FB15R06KL4B1

 

FB15R06KL4B1 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: FB15R06KL4B1
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 15 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.95 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 37 nS
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для FB15R06KL4B1

 

 

FB15R06KL4B1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:312K  eupec
 fb15r06kl4b1.pdf

FB15R06KL4B1 FB15R06KL4B1

Technische Information / technical informationIGBT-ModuleFB15R06KL4B1IGBT-ModulesVorlufigpreliminaryElektrische Eigenschaften / electrical propertiesHchstzulssige Werte / maximum rated valuesDiode Gleichrichter/ diode rectifierPeriodische Rckw. SpitzensperrspannungTvj =25C VRRM 800 Vrepetitive peak reverse voltageDurchlastrom Grenzeffektivwert pro ChipTC =

 7.1. Size:1096K  infineon
 fb15r06w1e3.pdf

FB15R06KL4B1 FB15R06KL4B1

/ Technical InformationIGBT-FB15R06W1E3IGBT-modulesEasyPIM /IGBT3 NTCEasyPIM module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and NTC / Preliminary DataV = 600VCESI = 15A / I = 30AC nom CRM Typical Applications

Другие IGBT... F4-50R12KS4_B11 , F4-50R12MS4 , F4-75R06W1E3 , F4-75R07W2H3_B51 , F4-75R12KS4 , F4-75R12KS4_B11 , F4-75R12MS4 , FB10R06KL4G , RJP30E2DPP-M0 , FB15R06W1E3 , FB20R06KL4 , FB20R06W1E3 , FB20R06W1E3_B11 , FB30R06W1E3 , FD1000R17IE4 , FD1000R17IE4D_B2 , FD1000R33HE3-K .

 

 
Back to Top