FB15R06W1E3 Todos los transistores

 

FB15R06W1E3 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FB15R06W1E3
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 81 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 15 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.55 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 11 nS
   Paquete / Cubierta: MODULE
     - Selección de transistores por parámetros

 

FB15R06W1E3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1096K  infineon
 fb15r06w1e3.pdf pdf_icon

FB15R06W1E3

/ Technical InformationIGBT-FB15R06W1E3IGBT-modulesEasyPIM /IGBT3 NTCEasyPIM module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and NTC / Preliminary DataV = 600VCESI = 15A / I = 30AC nom CRM Typical Applications

 7.1. Size:312K  eupec
 fb15r06kl4b1.pdf pdf_icon

FB15R06W1E3

Technische Information / technical informationIGBT-ModuleFB15R06KL4B1IGBT-ModulesVorlufigpreliminaryElektrische Eigenschaften / electrical propertiesHchstzulssige Werte / maximum rated valuesDiode Gleichrichter/ diode rectifierPeriodische Rckw. SpitzensperrspannungTvj =25C VRRM 800 Vrepetitive peak reverse voltageDurchlastrom Grenzeffektivwert pro ChipTC =

Otros transistores... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IHW20N135R5 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

History: DM2G75SH6N | HGTD6N40E1S | IXYN100N65B3D1 | NCE40ED75VT | SHDG1025 | SKM150GB174D | NGD15N41A

 

 
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