FB15R06W1E3 Todos los transistores

 

FB15R06W1E3 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FB15R06W1E3
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 81 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 15 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.55 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 11 nS
   Paquete / Cubierta: MODULE
 

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FB15R06W1E3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1096K  infineon
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FB15R06W1E3

/ Technical InformationIGBT-FB15R06W1E3IGBT-modulesEasyPIM /IGBT3 NTCEasyPIM module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and NTC / Preliminary DataV = 600VCESI = 15A / I = 30AC nom CRM Typical Applications

 7.1. Size:312K  eupec
 fb15r06kl4b1.pdf pdf_icon

FB15R06W1E3

Technische Information / technical informationIGBT-ModuleFB15R06KL4B1IGBT-ModulesVorlufigpreliminaryElektrische Eigenschaften / electrical propertiesHchstzulssige Werte / maximum rated valuesDiode Gleichrichter/ diode rectifierPeriodische Rckw. SpitzensperrspannungTvj =25C VRRM 800 Vrepetitive peak reverse voltageDurchlastrom Grenzeffektivwert pro ChipTC =

Otros transistores... F4-50R12MS4 , F4-75R06W1E3 , F4-75R07W2H3_B51 , F4-75R12KS4 , F4-75R12KS4_B11 , F4-75R12MS4 , FB10R06KL4G , FB15R06KL4B1 , RJP30E2DPP-M0 , FB20R06KL4 , FB20R06W1E3 , FB20R06W1E3_B11 , FB30R06W1E3 , FD1000R17IE4 , FD1000R17IE4D_B2 , FD1000R33HE3-K , FD1000R33HL3-K .

 

 
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