FB15R06W1E3 - аналоги и описание IGBT

 

FB15R06W1E3 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: FB15R06W1E3

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 81 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 15 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.55 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 11 nS

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для FB15R06W1E3

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

FB15R06W1E3 даташит

 ..1. Size:1096K  infineon
 fb15r06w1e3.pdf pdf_icon

FB15R06W1E3

/ Technical Information IGBT- FB15R06W1E3 IGBT-modules EasyPIM / IGBT3 NTC EasyPIM module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and NTC / Preliminary Data V = 600V CES I = 15A / I = 30A C nom CRM Typical Applications

 7.1. Size:312K  eupec
 fb15r06kl4b1.pdf pdf_icon

FB15R06W1E3

Technische Information / technical information IGBT-Module FB15R06KL4B1 IGBT-Modules Vorl ufig preliminary Elektrische Eigenschaften / electrical properties H chstzul ssige Werte / maximum rated values Diode Gleichrichter/ diode rectifier Periodische R ckw. Spitzensperrspannung Tvj =25 C VRRM 800 V repetitive peak reverse voltage Durchla strom Grenzeffektivwert pro Chip TC =

Другие IGBT... F4-50R12MS4 , F4-75R06W1E3 , F4-75R07W2H3_B51 , F4-75R12KS4 , F4-75R12KS4_B11 , F4-75R12MS4 , FB10R06KL4G , FB15R06KL4B1 , FGA25N120ANTD , FB20R06KL4 , FB20R06W1E3 , FB20R06W1E3_B11 , FB30R06W1E3 , FD1000R17IE4 , FD1000R17IE4D_B2 , FD1000R33HE3-K , FD1000R33HL3-K .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.