FB20R06W1E3 Todos los transistores

 

FB20R06W1E3 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FB20R06W1E3

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 94 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.55 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 13 nS

Encapsulados: MODULE

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FB20R06W1E3 datasheet

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FB20R06W1E3

/ Technical Information IGBT- FB20R06W1E3_B11 IGBT-modules EasyPIM / IGBT3 NTC EasyPIM module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and NTC V = 600V CES I = 20A / I = 40A C nom CRM Typical Applications Auxiliar

 ..2. Size:904K  infineon
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FB20R06W1E3

Technische Information / Technical Information IGBT-Module FB20R06W1E3 IGBT-modules EasyPIM Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode und NTC EasyPIM module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and NTC Vorl ufige Daten / Preliminary Data V = 600V CES I = 20A / I = 40A C nom CRM Typische Anwendungen Typical Applications Hilfs

 0.1. Size:988K  infineon
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FB20R06W1E3

Technische Information / Technical Information IGBT-Module FB20R06W1E3_B11 IGBT-modules EasyPIM Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode und NTC EasyPIM module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and NTC V = 600V CES I = 20A / I = 40A C nom CRM Typische Anwendungen Typical Applications Hilfsumrichter Auxiliary Inverters

 7.1. Size:242K  eupec
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FB20R06W1E3

Technische Information / Technical Information IGBT-Module FB20R06KL4 IGBT-Modules Vorl ufig Preliminary Elektrische Eigenschaften / Electrical properties H chstzul ssige Werte / Maximum rated values Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier Periodische R ckw. Spitzensperrspannung Tvj =25 C VRRM 800 V repetitive peak reverse voltage Durchla strom Grenzeffektivwert pro Chip TC =80

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History: FD600R12KF4 | FD1200R17KE3-K_B2

 

 

 


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