FB20R06W1E3 - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: FB20R06W1E3
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 94 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 20 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.55 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 13 nS
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для FB20R06W1E3
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
FB20R06W1E3 даташит
fb20r06w1e3 b11.pdf
/ Technical Information IGBT- FB20R06W1E3_B11 IGBT-modules EasyPIM / IGBT3 NTC EasyPIM module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and NTC V = 600V CES I = 20A / I = 40A C nom CRM Typical Applications Auxiliar
fb20r06w1e3.pdf
Technische Information / Technical Information IGBT-Module FB20R06W1E3 IGBT-modules EasyPIM Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode und NTC EasyPIM module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and NTC Vorl ufige Daten / Preliminary Data V = 600V CES I = 20A / I = 40A C nom CRM Typische Anwendungen Typical Applications Hilfs
fb20r06w1e3-b11.pdf
Technische Information / Technical Information IGBT-Module FB20R06W1E3_B11 IGBT-modules EasyPIM Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode und NTC EasyPIM module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and NTC V = 600V CES I = 20A / I = 40A C nom CRM Typische Anwendungen Typical Applications Hilfsumrichter Auxiliary Inverters
fb20r06kl4.pdf
Technische Information / Technical Information IGBT-Module FB20R06KL4 IGBT-Modules Vorl ufig Preliminary Elektrische Eigenschaften / Electrical properties H chstzul ssige Werte / Maximum rated values Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier Periodische R ckw. Spitzensperrspannung Tvj =25 C VRRM 800 V repetitive peak reverse voltage Durchla strom Grenzeffektivwert pro Chip TC =80
Другие IGBT... F4-75R07W2H3_B51 , F4-75R12KS4 , F4-75R12KS4_B11 , F4-75R12MS4 , FB10R06KL4G , FB15R06KL4B1 , FB15R06W1E3 , FB20R06KL4 , SGT40N60NPFDPN , FB20R06W1E3_B11 , FB30R06W1E3 , FD1000R17IE4 , FD1000R17IE4D_B2 , FD1000R33HE3-K , FD1000R33HL3-K , FD1200R17KE3-K , FD1200R17KE3-K_B2 .
History: FD600R12KF4 | FD1200R17KE3-K_B2
History: FD600R12KF4 | FD1200R17KE3-K_B2
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2sa726 replacement | a1941 datasheet | hrf3205 | c2837 datasheet | 2n414 | c3998 | c4468 datasheet | 2sc2603




