FB20R06W1E3 - параметры транзистора, его аналоги, Даташиты

FB20R06W1E3 Datasheet (PDF)

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/ Technical InformationIGBT-FB20R06W1E3_B11IGBT-modulesEasyPIM /IGBT3 NTCEasyPIM module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and NTCV = 600VCESI = 20A / I = 40AC nom CRM Typical Applications Auxiliar

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Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFB20R06W1E3IGBT-modulesEasyPIM Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode und NTCEasyPIM module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and NTCVorlufige Daten / Preliminary DataV = 600VCESI = 20A / I = 40AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications Hilfs

0.1. Size:988K infineon
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Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFB20R06W1E3_B11IGBT-modulesEasyPIM Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode und NTCEasyPIM module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and NTCV = 600VCESI = 20A / I = 40AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications Hilfsumrichter Auxiliary Inverters

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Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFB20R06KL4IGBT-ModulesVorlufigPreliminaryElektrische Eigenschaften / Electrical propertiesHchstzulssige Werte / Maximum rated valuesDiode Gleichrichter/ Diode RectifierPeriodische Rckw. SpitzensperrspannungTvj =25C VRRM 800 Vrepetitive peak reverse voltageDurchlastrom Grenzeffektivwert pro ChipTC =80

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IHW20N135R5 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .