FB30R06W1E3 Todos los transistores

 

FB30R06W1E3 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FB30R06W1E3
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 115 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 30 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.55 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 16 nS
   Paquete / Cubierta: MODULE
 

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FB30R06W1E3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:905K  infineon
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FB30R06W1E3

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFB30R06W1E3IGBT-modulesEasyPIM Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode und NTCEasyPIM module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and NTCVorlufige Daten / Preliminary DataV = 600VCESI = 30A / I = 60AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications Hilfs

Otros transistores... F4-75R12KS4_B11 , F4-75R12MS4 , FB10R06KL4G , FB15R06KL4B1 , FB15R06W1E3 , FB20R06KL4 , FB20R06W1E3 , FB20R06W1E3_B11 , CRG40T60AN3H , FD1000R17IE4 , FD1000R17IE4D_B2 , FD1000R33HE3-K , FD1000R33HL3-K , FD1200R17KE3-K , FD1200R17KE3-K_B2 , FD1400R12IP4D , FD200R12KE3 .

History: FD1200R17KE3-K_B2 | FD1000R33HL3-K | SGTP50V65FDB1P7 | IXGH25N250

 

 
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