FB30R06W1E3 - аналоги и описание IGBT

 

FB30R06W1E3 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: FB30R06W1E3

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 115 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.55 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 16 nS

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для FB30R06W1E3

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

FB30R06W1E3 даташит

 ..1. Size:905K  infineon
 fb30r06w1e3.pdf pdf_icon

FB30R06W1E3

Technische Information / Technical Information IGBT-Module FB30R06W1E3 IGBT-modules EasyPIM Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode und NTC EasyPIM module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and NTC Vorl ufige Daten / Preliminary Data V = 600V CES I = 30A / I = 60A C nom CRM Typische Anwendungen Typical Applications Hilfs

Другие IGBT... F4-75R12KS4_B11 , F4-75R12MS4 , FB10R06KL4G , FB15R06KL4B1 , FB15R06W1E3 , FB20R06KL4 , FB20R06W1E3 , FB20R06W1E3_B11 , CRG60T60AN3H , FD1000R17IE4 , FD1000R17IE4D_B2 , FD1000R33HE3-K , FD1000R33HL3-K , FD1200R17KE3-K , FD1200R17KE3-K_B2 , FD1400R12IP4D , FD200R12KE3 .

History: FD600R12KF4 | FD1200R17KE3-K_B2

 

 

 

 

↑ Back to Top
.