FD1400R12IP4D IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FD1400R12IP4D
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 7700 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 1400 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.75 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 120 nS
Encapsulados: MODULE
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FD1400R12IP4D datasheet
cfd1408.pdf
Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN POWER TRANSISTOR CFD1408 TO-220FP Fully Isolated Plastic Package B C E Power Amplifier Applications Complements CFB1017 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tc = 25 C unless specified otherwise) DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT VCBO Collector Base Voltage 80 V VCEO Collector Emitter Voltage 80 V VE
Otros transistores... FB20R06W1E3_B11 , FB30R06W1E3 , FD1000R17IE4 , FD1000R17IE4D_B2 , FD1000R33HE3-K , FD1000R33HL3-K , FD1200R17KE3-K , FD1200R17KE3-K_B2 , RJP63F3DPP-M0 , FD200R12KE3 , FD200R12PT4_B6 , FD250R65KE3-K , FD300R06KE3 , FD300R07PE4_B6 , FD300R12KE3 , FD300R12KS4 , FD300R12KS4_B5 .
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