FD1400R12IP4D - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FD1400R12IP4D
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 7700 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 1400 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.75 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 120 nS
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de FD1400R12IP4D - IGBT
FD1400R12IP4D Datasheet (PDF)
fd1400r12ip4d.pdf
Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFD1400R12IP4DIGBT-modulesPrimePACK3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4, grerer Emitter Controlled 4 DiodePrimePACK3 module with Trench/Fieldstop IGBT4, enlarged Emitter Controlled 4 diodeVorlufige Daten / Preliminary DataV = 1200VCESI = 1400A / I = 2800AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications
cfd1408.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN POWER TRANSISTOR CFD1408TO-220FP Fully IsolatedPlastic PackageBCEPower Amplifier ApplicationsComplements CFB1017ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tc = 25C unless specified otherwise)DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITVCBOCollector Base Voltage 80 VVCEOCollector Emitter Voltage 80 VVE
Otros transistores... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , GT30F126 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .
Liste
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IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2