FD1400R12IP4D - аналоги и описание IGBT

 

FD1400R12IP4D - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: FD1400R12IP4D

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 7700 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 1400 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.75 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 120 nS

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для FD1400R12IP4D

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

FD1400R12IP4D даташит

 ..1. Size:702K  infineon
 fd1400r12ip4d.pdf pdf_icon

FD1400R12IP4D

 9.1. Size:82K  cdil
 cfd1408.pdf pdf_icon

FD1400R12IP4D

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN POWER TRANSISTOR CFD1408 TO-220FP Fully Isolated Plastic Package B C E Power Amplifier Applications Complements CFB1017 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tc = 25 C unless specified otherwise) DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT VCBO Collector Base Voltage 80 V VCEO Collector Emitter Voltage 80 V VE

Другие IGBT... FB20R06W1E3_B11 , FB30R06W1E3 , FD1000R17IE4 , FD1000R17IE4D_B2 , FD1000R33HE3-K , FD1000R33HL3-K , FD1200R17KE3-K , FD1200R17KE3-K_B2 , RJP63F3DPP-M0 , FD200R12KE3 , FD200R12PT4_B6 , FD250R65KE3-K , FD300R06KE3 , FD300R07PE4_B6 , FD300R12KE3 , FD300R12KS4 , FD300R12KS4_B5 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.