Справочник IGBT. FD1400R12IP4D

 

FD1400R12IP4D Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: FD1400R12IP4D
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 7700 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 1400 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.75 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 120 nS
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для FD1400R12IP4D

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

FD1400R12IP4D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:702K  infineon
 fd1400r12ip4d.pdf pdf_icon

FD1400R12IP4D

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFD1400R12IP4DIGBT-modulesPrimePACK3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4, grerer Emitter Controlled 4 DiodePrimePACK3 module with Trench/Fieldstop IGBT4, enlarged Emitter Controlled 4 diodeVorlufige Daten / Preliminary DataV = 1200VCESI = 1400A / I = 2800AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications

 9.1. Size:82K  cdil
 cfd1408.pdf pdf_icon

FD1400R12IP4D

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN POWER TRANSISTOR CFD1408TO-220FP Fully IsolatedPlastic PackageBCEPower Amplifier ApplicationsComplements CFB1017ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tc = 25C unless specified otherwise)DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITVCBOCollector Base Voltage 80 VVCEOCollector Emitter Voltage 80 VVE

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , IKW30N60H3 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top

 


 
.