FD200R12PT4_B6 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FD200R12PT4_B6
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1100 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 200 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.75 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.4 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 37 nS
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de FD200R12PT4_B6 - IGBT
FD200R12PT4_B6 Datasheet (PDF)
fd200r12pt4 b6.pdf
Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFD200R12PT4_B6IGBT-modulesEconoPACK4 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled Diode und NTCEconoPACK4 module with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled Diode and NTCV = 1200VCESI = 200A / I = 400AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications 3-Level-Applikationen 3-Level-Appli
fd200r12pt4-b6.pdf
Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFD200R12PT4_B6IGBT-modulesEconoPACK4 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled Diode und NTCEconoPACK4 module with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled Diode and NTCV = 1200VCESI = 200A / I = 400AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications 3-Level-Applikationen 3-Level-Appli
fd200r12ke3.pdf
Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFD200R12KE3IGBT-modules62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled High Efficiency Diode 62mm C-series module with trench/fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled High Efficiency diode IGBT, Brems-Chopper / IGBT, Brake-ChopperHchstzulssige Werte / Maximum Rated ValuesKollektor-Emitter-Sperrspann
fd200r12ke3p.pdf
Technische Information / Technical InformationIGBT-ModulFD200R12KE3PIGBT-Module62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled HE Diode und bereitsaufgetragenem Thermal Interface Material62mm C-Series module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled HE diode and pre-appliedThermal Interface MaterialVorlufige Daten / Preliminary DataV = 1200VC
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Liste
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